Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP
Климов А.А.
1, Кунков Р.Э.
1, Лухмырина Т.С.
1, Матвеев Б.А.
1, Ременный М.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: a.klimov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2025 г.
Принята к печати: 18 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.
Представлены результаты разработки и исследования фотодиодов на основе гетероструктуры n-InAs/n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP в интервале температур 125-500 K. Обсуждаются конструктивные особенности эпитаксиальной структуры и чипа фотоприемника, которые обеспечили значения токовой чувствительности и обнаружительной способности Si=1.6 А/Вт и D*=1.5·1010 см · Гц1/2 · Вт-1 при комнатной температуре и Si>0.1 А/Вт при T=500 K. Ключевые слова: средневолновый фотодиод, фотодиод InAs, фотодиоды InAsSb, высокотемпературные фотодиоды, гетероструктура InAsSbP/InAs, FSI фотодиод.
- J. Piotrowski, A. Rogalski. High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors (SPIE Press, Bellingham, WA, USA, 2007)
- Г.Ю. Сотникова, С.А. Александров, Г.А. Гаврилов. Успехи прикл. физики, 10 (4), 389 (2022). DOI: 10.51368/2307-4469-2022-10-4-389-403
- М.А. Ременный, А.А. Климов, Р.Э. Кунков, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, А.А. Усикова. Тез. докл. XXVII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., 2024) с. 76
- А.А. Климов, Р.Э. Кунков, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. Тез. докл. конф. ФизикА СПб (Санкт-Петербург, 2024) с. 188
- P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 78, 249 (2016). https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.08.013
- Н.Д. Ильинская, А.Л. Закгейм, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. ФТП, 46 (5), 708 (2012)
- Hongyu Lin, Hao Xie, Yan Sun, Shuhong Hu, Ning Dai. J. Cryst. Growth, 617, 127293 (2023). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127293
- P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, N.M. Latnikova, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, A.S. Petrov, M.A. Remennyi, E.N. Sevostyanov, N.M. Stus. Semiconductors, 48 (10), 1359 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614100066
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
