Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa₃Te₅ и In/p-CuGa₅Te₈: создание и свойства

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Боднарь И.В.³

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 1 декабря 2005 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa₃Te₅ и CuGa₅Te₈ и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa₃Te₅ и In/p-CuGa₅Te₈. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz

S.H. Wei, S.B. Zhang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
G. Martin, R. Marquez, R. Guevara. Jap. J. Appl. Phys., 39, Suppl. 39-1, 44 (2000)
T. Negami. Sol. St. Phenomena, 67--68. Polycrystalline Semiconductors V, 349 (1999)
И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
Л.С. Палатник, Е.К. Белова. Кристаллография, 10, 858 (1965)
H.J. Fan, M.O. Becker. In: Proc. Conf. Semiconductor Materials (Academic Press, N. Y., 1951)
G. Martin, J.M. Delgado, S.M. Wasim, C. Rincon, G. Sanches Perez, A.E. Morn, P. Bocaranda, J.A. Mendo. J. Appl. Phys., 87, 7814 (2000)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 5. [S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., (1981)]
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
C.R. Growel, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 9, 1035 (1966)
B. Jogannathan, W.A. Anderson. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 44, 165 (1996)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Наука, 1977)
Г.Ф. Караваев, А.С. Поплавной. ФТТ, 8, 2143 (1966)
S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 1942 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель