Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диффузионные слои ZnTe : Sn с электронной проводимостью
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 10 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.
Диффузией олова в монокристаллические подложки теллурида цинка получены слои с электронной проводимостью ~0.1 Ом-1·см-1. Обсуждается природа электрически и оптически активных центров в образцах ZnTe : Sn. PACS: 66.30.Jt, 68.35.Fx, 78.55.Et
- А.Н. Георгобиани. УФН, 113 (1), 129 (1974)
- Физика соединений A2B6, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
- Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства ZnSe (Кишинев, Штиинца, 1984)
- Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- A.G. Fischer, I.N. Garides, I. Dresner. Sol. St. Commun., 2, 157 (1964)
- В.П. Грибковский, В.А. Иванов, И.Д. Межевич, В.Н. Болтунов. Вести АН БССР, сер. физ.-мат. наук, N 6, 80 (1982)
- Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк. В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- F.E. Williams. J. Phys. Chem. Sol., 12 (3, 4), 265 (1960)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
