7 апреля 2006 года исполняется 75 лет выдающемуся физику - теоретику академику Леониду Вениаминовичу Келдышу. Вся его научная карьера связана с Отделом теоретической физики Физического института им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (в настоящее время Отделение теоретической физики им. И. Е. Тамма ФИАН РАН). Эта карьера началась в 1954 г., когда Л. В. Келдыш после окончания Московского государственного университета поступил в аспирантуру ФИАН, где его руководителем стал В. Л. Гинзбург. Здесь сформировались научные интересы Леонида Вениаминовича. Пятидесятые-шестидесятые годы были временем бурного развития физики полупроводников. Одним из наиболее существенных результатов Л. В. Келдыша того времени было введение понятия о неупругом, т. е. сопровождаемом испусканием или поглощением фононов, квантовом туннелировании электронов, приводящем к рождению электронно-дырочных пар. Было показано, что в зависимости от деталей электронного спектра конкретного полупроводника вклад этого процесса может на много порядков превосходить вклад << прямого>> (бесфононного) туннелирования. Годом позже туннельный эффект в полупроводниках был открыт экспериментально и стал основой нового типа электронных приборов. Сразу выяснилось, что во многих полупроводниках, включая наиболее важные - кремний и германий, доминирующим является именно туннелирование с участием фононов. Эти работы стали началом так называемой неупругой туннельной спектроскопии - исследования фононов, магнонов и других квазичастиц в кристаллах и их участия в туннельных эффектах. Вслед за этим Л. В. Келдыш применил аналогичные представления к процессу поглощения света полупроводниками в присутствии внешнего электрического поля. Здесь существенно изменяется спектр поглощения - становится возможным поглощение фотонов, для которых в отсутствие электрического поля кристалл прозрачен. Механизм этого явления аналогичен неупругому туннелированию с участием фононов - энергию, недостающую фотону для поглощения, т. е. квантового перехода с рождением электронно-дырочной пары, электрон и дырка получают от электрического поля в процессе туннелирования. Указанный процесс также был вскоре подтвержден экспериментально (он получил название эффекта Франца-Келдыша) и нашел широкое применение в различных оптоэлектронных устройствах, а также в оптической спектроскопии полупроводников. До середины шестидесятых годов Л. В. Келдыш опубликовал еще ряд важных работ. Им было впервые предложено использовать пространственно-периодические поля для формирования искусственных спектров кристаллов на основе вызванных такими полями дополнительных брэгговских отражений. В дальнейшем эта идея реализовалась в создании сверхрешеток. Построенная Л. В. Келдышем теория глубоких уровней, создаваемых многозарядными примесями в полупроводниках, позволила понять рекомбинационную активность подобного рода дефектов, связанную с захватом носителей заряда на центры. [!t] После создания лазеров с их возможностями генерировать сильнейшие электромагнитные поля в оптическом диапазоне частот Л. В. Келдыш рассмотрел вопрос о воздействии таких полей на электроны в твердых телах и в атомах. В отличие от простейшего подхода, применимого только для слабого поля излучения и основанного на учете воздействия света на атом как возмущения, в основу теории был положен точный учет взаимодействия атомного электрона с полем излучения и рассмотрение взаимодействия электрона с атомным ядром как возмущения. Оказалось, что два известных явления - туннельный эффект и фотоэффект - являются по существу двумя предельными случаями одного и того же более общего процесса и плавно переходят друг в друга при изменении параметров воздействующего поля - напряженности или частоты. Туннельный эффект - предельный случай сильных полей и относительно низких частот, фотоэффект - предел слабых полей и высоких частот. Казавшиеся поначалу неожиданными, результаты этой работы были полностью подтверждены последующими экспериментами и стали основой современного понимания взаимодействия мощного лазерного излучения с атомами, молекулами и твердыми телами. Для теоретического описания воздействия сильных полей на квантовые системы из многих взаимодействующих частиц, находящихся как в состоянии равновесия, так и в любых других неравновесных состояниях, в 1964 г. Л. В. Келдышем был разработан весьма общий аппарат, основанный на использовании так называемых неравновесных функций Грина. Так возникла диаграммная техника Келдыша для сильно неравновесных стационарных процессов. В настоящее время эта техника широко вошла в обиход физиков - теоретиков. Ее удалось распространить на нестационарный случай, возникло понятие действия Келдыша. Следующий этап научной деятельности Л. В. Келдыша был тесно связан с понятием экситона и различного рода фазовыми переходами в равновесных и неравновесных системах. В 1964 г. появилась работа о бозе-конденсации равновесных экситонов в условиях, когда их энергия связи превышает ширину запрещенной зоны полупроводника. Наиболее благоприятным для такого рода фазовых переходов является полуметалл с конгруэнтными в импульсном пространстве поверхностями. << Экситонный изолятор>> - такое название получила эта модель. В своем развитии она позволила описать очень широкий круг фазовых превращений: структурные, зарядовые и магнитные фазовые переходы в приближении малой константы связи. [!b] = p33mmp140mm@ &     Ж. И. Алфёров, Е. Б. Александров, П. И. Арсеев, Б. А. Волков, В. Л. Гинзбург, А. А. Гиппиус, А. Г. Забродский, А. А. Каплянский, Ю. В. Копаев, О. Н. Крохин, Г. А. Месяц, В. И. Перель &     Редколлегия журнала поздравляет члена редколлегии академика Л. В. Келдыша со славным юбилеем и присоединяется к добрым пожеланиям здоровья и успехов на благо российской науки. В последующих исследованиях Л. В. Келдыш перешел к задаче о коллективных свойствах электронно-дырочных систем. В 1968 г. им были исследованы условия бозе-конденсации неравновесных экситонов, связанные с их внутренней структурой. Был дан последовательный микроскопический вывод уравнений типа Гинзбурга-Ландау, описывающих этот конденсат. Показана возможность бездиссипативного переноса энергии в подобных системах, несмотря на конечное время их жизни. В ходе исследований, однако, оказалось, что неравновесные электроны и дырки в полупроводниках, притягиваясь, гораздо охотнее создают металлические капли, а не бозе-конденсат. Л. В. Келдыш объяснил это явление обменным электрон-электронным и дырка-дырочным взаимодействием. Были проведены многочисленные эксперименты, подтвердившие гипотезу Л. В. Келдыша. Среди них следует особо отметить обнаружение аномальной диффузии капель в неоднородно деформированном полупроводнике и наблюдение фононного ветра. В последнее время Л. В. Келдыш продолжает интенсивные исследования на одном из самых актуальных направлений теории конденсированных сред. Речь идет о коллективных свойствах светоэкситонов, в том числе возникающих в полупроводниковом микрорезонаторе при его возбуждении мощным лазерным излучением. Научная деятельность академика Л. В. Келдыша и его сотрудников получила широкое признание как у нас в стране, так и за рубежом. На работы Л. В. Келдыша часто ссылаются, индекс цитируемости в настоящий момент - более 7000. Он лауреат Ломоносовской (1964) и Ленинской (1974) премий, а также премии Европейского физического общества (1975) и Российской премии << Триумф>> (2001); действительный член Российской академии наук, член Национальной академии наук США и Американского физического общества. Нельзя обойти вниманием большую педагогическую работу Л. В. Келдыша по подготовке научных кадров. В 1962 г. он стал профессором Московского физико-технического института, в 1965 г. - профессором Московского государственного университета, а в 1978 г. возглавил Кафедру квантовой радиофизики Физического факультета университета. Его блистательный курс << Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом>> много лет позже, в 1989 г. был издан в виде учебного пособия. В 2003 г. Л. В. Келдыш стал лауреатом Премии Президента России в области образования. Созданная Л. В. Келдышем научная школа дала целую плеяду известных физиков - теоретиков. Нельзя не сказать несколько слов о некоторых этапах карьеры Л. В. Келдыша как администратора. Являясь заведующим Отделом теоретической физики ФИАН, он в 1989 г. избирается еще и директором института, а в 1991 г. - академиком-секретарем Отделения общей физики и астрономии РАН. Это было время далеко не лучшее в истории страны. В обстановке разразившегося кризиса государству оказалось не до науки. Тогда многие институты пошли на распродажу и сдачу в аренду своей недвижимости, что в конце концов привело к их полному развалу. В этих драматических условиях Л. В. Келдыш смог удержать корабль ФИАН на плаву с минимальными потерями, проявив высокую ответственность и незаурядный административный талант. Мы от всей души поздравляем Леонида Вениаминовича Келдыша с семидесятипятилетним юбилеем, желаем ему крепкого здоровья и новых творческих достижений во славу теоретической физики. Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.