Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 27 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs и легированными распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs / GaAs. Показана работа одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 980 нм с диаметром токовой апертуры 3 мкм, пороговым током 0.6 мА, максимальной выходной мощностью до 4 мВт и внешней дифференциальной эффективностью 68%. Многомодовые вертикально-излучающие лазеры с диаметром апертуры 10-12 мкм обладают сверхнизкими внутренними оптическими потерями (0.09% на один проход фотона), что сравнимо с лучшими результатами для лазеров такого типа с нелегированными распределенными брэгговскими отражателями. PACS: 42.55.Px, 78.67.He
- C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
- V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov. Phys. Status Solidi A, 202, 396 (2005)
- J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh. M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000)
- J.K. Kim, R.L. Naone, L.A. Coldren. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 6, 504 (2000)
- A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 1845 (1999)
- S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. 26th Int. Conf. Phys. Semicond. (Edinburgh, UK, 2002) paper L2.3
- A. Bond, P.D. Dapkus, J.D. O'Brien. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 13 627 (1998)
- Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Г. Кузьменков. Д.А. Бедарев, Ю.М. Задиранов, М.А. Кулагина, Ю.М. Шерняков, А.С. Шуленков, В.А. Быковский, Ю.М. Соловьев, C. Moller, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37, 1265 (2003)
- С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 782 (2005)
- P.D. Floyd, B.J. Thibeault, E.R. Hegblom, J. Ko, L.A. Coldren, J.L. Merz. IEEE Photon. Technol. Lett., 5, 590 (1996)
- E.R. Hegblom, D.I. Babic, B.J. Thibeault, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 68, 1757 (1996)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
- T. Makino, J.D. Evans, G. Mak. Appl. Phys. Lett., 71, 2871 (1997)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
- M. Jungo, F.M. di Sopra, D. Erni, W. Baechtold. J. Appl. Phys., 91, 5550 (2002)
- G.M. Yang, M.H. MacDugal, V. Pudikov, P.D. Dapkus. IEEE Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
