Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик в полупроводниках
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Обсуждаются недостаточно исследованные аспекты проблемы электронных фазовых переходов металл-диэлектрик в полупроводниках: влияние гибридизации резонансных квазилокализованных примесных состояний с состояниями зонного континуума на этот переход; влияние всестороннего давления на характер перехода; особенности превращения металл-диэлектрик в слабо легированных узкозонных и широкозонных полупроводниках в системе водородоподобных примесей в области промежуточного легирования; андерсоновская локализация в сильно легированных полупроводниках. Определены минимальные металлические проводимости в p-CdSnAs2<Cu> при переходах Мотта и Андерсона. Приведены фазовые диаграммы. PACS: 64.70.Kb, 71.30.+h
- И.М. Цидильковский. Бесщелевые полупроводники (М., Наука, 1986)
- Ф.П. Кесаманлы, Ю.М. Бурдуков, Ф.М. Гашимзаде, Ю.А. Гольдберг. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследова (М., Наука, 1973)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП, 29 (1), 152 (1995)
- А.Г. Забродский, С.А. Немов, Ю.И. Равич. Электронные свойства неупорядоченных систем (СПб., Наука, 2000)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ, 46 (6), 1071 (2004)
- И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 104, вып. 1(7), 2436 (1993)
- M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov. Phys. Status Solidi B, 211, 553 (1999)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. Докл. РАН, 357 (5), 612 (1997)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП, 33 (1), 36 (1999)
- В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП, 11, 1914 (1977)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП, 35 (1), 58 (2001)
- И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. Письма ЖЭТФ, 54 (10), 589 (1991)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. ФТП, 19 (5), 936 (1985)
- М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. Изв. вузов. Физика, N 8, 98 (1986)
- Р.К. Арсланов, М.М. Гаджиалиев, М.И. Даунов, Е.В. Кортунова, П.П. Хохлачев, П.П. Шванский. Физика и техн. высоких давлений, 15 (2), 56 (2005)
- О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 7, 1315 (1965)
- О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов. ФТТ, 3, 198 (1961)
- H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev., 119, 1238 (1960)
- Н.Н. Волокобинская, В.В. Галаванов, Д.Н. Наследов. ФТТ, 1, 755 (1959)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров. ФТТ, 37 (8), 2276 (1995)
- Н.Г. Яременко. ФТП, 9 (5), 840 (1975)
- E.H. Putly. Semicond. Semimet. (N.Y.), 1, 289 (1966)
- D.J. Somerford. J. Phys. Ser. C, 4, 1570 (1971)
- Е.М. Гершензон, В.А. Ильин, И.Н. Куриленко, А.Б. Литвак-Горская. ФТП, 9 (7), 1324 (1975)
- Б.А. Аронзон, Н.К. Чумаков. ФТТ, 31 (4), 10 (1989)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. Тез. докл. III Межд. конф. Фзовые превращения при высоких давлениях" (Черноголовка, 2004) с. 23
- M.I. Daunov, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, S.F. Gabibov, D.M. Daunova. Abst. Joint EHPRG'42 and COST Action D30 Meeting "Advances on high pressure research" (Lausanne, Switzerland, 2004) p. 75
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.