Вышедшие номера
Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик в полупроводниках
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Обсуждаются недостаточно исследованные аспекты проблемы электронных фазовых переходов металл-диэлектрик в полупроводниках: влияние гибридизации резонансных квазилокализованных примесных состояний с состояниями зонного континуума на этот переход; влияние всестороннего давления на характер перехода; особенности превращения металл-диэлектрик в слабо легированных узкозонных и широкозонных полупроводниках в системе водородоподобных примесей в области промежуточного легирования; андерсоновская локализация в сильно легированных полупроводниках. Определены минимальные металлические проводимости в p-CdSnAs2<Cu> при переходах Мотта и Андерсона. Приведены фазовые диаграммы. PACS: 64.70.Kb, 71.30.+h
  1. И.М. Цидильковский. Бесщелевые полупроводники (М., Наука, 1986)
  2. Ф.П. Кесаманлы, Ю.М. Бурдуков, Ф.М. Гашимзаде, Ю.А. Гольдберг. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследова (М., Наука, 1973)
  3. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  4. Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП, 29 (1), 152 (1995)
  5. А.Г. Забродский, С.А. Немов, Ю.И. Равич. Электронные свойства неупорядоченных систем (СПб., Наука, 2000)
  6. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ, 46 (6), 1071 (2004)
  7. И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 104, вып. 1(7), 2436 (1993)
  8. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov. Phys. Status Solidi B, 211, 553 (1999)
  9. М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. Докл. РАН, 357 (5), 612 (1997)
  10. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП, 33 (1), 36 (1999)
  11. В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП, 11, 1914 (1977)
  12. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП, 35 (1), 58 (2001)
  13. И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. Письма ЖЭТФ, 54 (10), 589 (1991)
  14. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  15. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. ФТП, 19 (5), 936 (1985)
  16. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. Изв. вузов. Физика, N 8, 98 (1986)
  17. Р.К. Арсланов, М.М. Гаджиалиев, М.И. Даунов, Е.В. Кортунова, П.П. Хохлачев, П.П. Шванский. Физика и техн. высоких давлений, 15 (2), 56 (2005)
  18. О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 7, 1315 (1965)
  19. О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов. ФТТ, 3, 198 (1961)
  20. H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev., 119, 1238 (1960)
  21. Н.Н. Волокобинская, В.В. Галаванов, Д.Н. Наследов. ФТТ, 1, 755 (1959)
  22. М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров. ФТТ, 37 (8), 2276 (1995)
  23. Н.Г. Яременко. ФТП, 9 (5), 840 (1975)
  24. E.H. Putly. Semicond. Semimet. (N.Y.), 1, 289 (1966)
  25. D.J. Somerford. J. Phys. Ser. C, 4, 1570 (1971)
  26. Е.М. Гершензон, В.А. Ильин, И.Н. Куриленко, А.Б. Литвак-Горская. ФТП, 9 (7), 1324 (1975)
  27. Б.А. Аронзон, Н.К. Чумаков. ФТТ, 31 (4), 10 (1989)
  28. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. Тез. докл. III Межд. конф. Фзовые превращения при высоких давлениях" (Черноголовка, 2004) с. 23
  29. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, S.F. Gabibov, D.M. Daunova. Abst. Joint EHPRG'42 and COST Action D30 Meeting "Advances on high pressure research" (Lausanne, Switzerland, 2004) p. 75

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.