Вышедшие номера
Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Липаев А.Ф.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Приведены результаты детального исследования магнитотранспортных свойств разъединенных гетеропереходов II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb). Впервые обнаружен и исследован электронный канал с высокой подвижностью носителей (до 50 000-60 000 см2/B·с) в изотипной разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs. Изучен эффект истощения электронного канала и переход от полуметаллической к полупроводниковой проводимости при сильном легировании акцепторами четверного твердого раствора. Детально исследованы магнитотранспортные свойства при температурах 4.2-200 K и получены данные об энергетическом спектре и параметрах двумерных носителей на гетерогранице. Экспериментально установлено, что в гетероструктурах Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb в зависимости от состава могут быть реализованы как ступенчатые гетеропереходы (x=0.85), так и разъединенные (x=0.95), что подтверждается теоретическими расчетами. В гетероструктурах GaInAsSb/InAs : Mn, выращенных на подложках, легированных магнитной примесью Mn с высокой концентрацией (p>5·1018 см-3), обнаружены аномальный эффект Холла и отрицательное магнитосопротивление, обусловленные обменным взаимодействием ионов Mn в InAs с высокоподвижными электронами в канале на гетерогранице. PACS: 73.63.Hs, 73.43.Qt, 73.43.-f