Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 5 » Статья стр. 519
<<<>>>
Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Липаев А.Ф.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
PDF версия
Приведены результаты детального исследования магнитотранспортных свойств разъединенных гетеропереходов II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb). Впервые обнаружен и исследован электронный канал с высокой подвижностью носителей (до 50 000-60 000 см2/B·с) в изотипной разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs. Изучен эффект истощения электронного канала и переход от полуметаллической к полупроводниковой проводимости при сильном легировании акцепторами четверного твердого раствора. Детально исследованы магнитотранспортные свойства при температурах 4.2-200 K и получены данные об энергетическом спектре и параметрах двумерных носителей на гетерогранице. Экспериментально установлено, что в гетероструктурах Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb в зависимости от состава могут быть реализованы как ступенчатые гетеропереходы (x=0.85), так и разъединенные (x=0.95), что подтверждается теоретическими расчетами. В гетероструктурах GaInAsSb/InAs : Mn, выращенных на подложках, легированных магнитной примесью Mn с высокой концентрацией (p>5·1018 см-3), обнаружены аномальный эффект Холла и отрицательное магнитосопротивление, обусловленные обменным взаимодействием ионов Mn в InAs с высокоподвижными электронами в канале на гетерогранице. PACS: 73.63.Hs, 73.43.Qt, 73.43.-f
  1. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
  2. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, B.I. Zhurtanov, T.I. Voronina, O.V. Andreychuk, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 252, 257 (1998)
  3. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 21 (1996)
  4. T.S. Haserberg, R.H. Miles, L. West. IEEE J. Quant. Electron., 33, 1403 (1997)
  5. Н.Д. Стоянов, М.П. Михайлова, О.В. Андрейчук, К.Д. Моисеев, И.А. Андреев, М.А. Афраилов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 467 (2001)
  6. L. Esaki, G.A. Sai-Halasz, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 18 (6), 2812 (1978)
  7. M. Nakao, S. Yoshida, S. Gonda. Sol. St. Commun., 49, 663 (1984)
  8. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  9. H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsuse. Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1987)
  10. W.R. Frensley, H. Kroemer. Phys. Rev. B, 16, 2642 (1977)
  11. M.P. Mikhailova, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, K.D. Moiseev, S.A. Obukhov, A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev. Abstracts 3 Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (1995) p. 49
  12. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  13. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 897 (1997)
  14. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 218 (1998)
  15. C.A. Hoffman, J.R. Meyer, E.R. Youngdale, F.J. Bartoli, R.H. Miles, L.R. Ram-Mohan. Sol. St. Electron., 37, 1203 (1994)
  16. G.K. Bologesi, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1992)
  17. К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34 (12), 1438 (2000)
  18. P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltzer, M.Yu. Nadtochii, V.M. Ustinov. Sov. Phys. Semicond., 24, 317 (1990)
  19. М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 687 (1995)
  20. M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  21. K.D. Moiseev, A. Krier, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 5023, 340 (2003)
  22. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, R.V. Parfeniev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron, 145, 268 (1998)
  23. K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovskii, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Surf. Sci., 482--485, 1083 (2001)
  24. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, N 22, 34 (1996)
  25. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1995)
  26. K.D. Moiseev, J. Zeman, M.L. Sadowski, G. Martinez, V.A. Beresovets, P.N. Brunkov, V.I. Falko, M.P. Mikhailova, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Abstracts 11 Int. Conf. Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2003) p. 216
  27. Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, 285 (1991)
  28. L. Esaki. Lect. Not-Phys., 133, 302 (1980)
  29. Т.С. Лагунова, Т.И. Воронина, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. Тез. докл. III Всеросс. конф. по физике полупроводников Полупроводники'97" (ФИАН, Москва, Россия, 1997) p. 170
  30. И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1995)
  31. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Ed. by M. Levenstein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Science Publisher, 1996) v. 1
  32. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterostructions and Metal-Semiconductor Junctions (N.Y., Academic, 1972)
  33. R. Magri, A. Zunger, H. Kroemer. Book of Abstracts 6 Int. Conf. MIOMD-VI (St. Petersburg, Russia, 2004) p. 59
  34. Т.С. Лагунова, Т.И. Воронина, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Е. Самохин, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 901 (2003)
  35. Д.Г. Адрианов, В.В. Каратаев, Г.В. Лазарева, Ю.Б. Муравлев, А.С. Савельев. ФТП, 11, 1252 (1977)
  36. Д.Г. Адрианов, Г.В. Лазарева, А.С. Савельев, В.И. Фистуль. ФТП, 10, 568 (1976)
  37. Д.Г. Адрианов, А.С. Савельев. ФТП, 14, 539 (1980)
  38. С.В. Вонсовский. Современное учение о магнетизме (М., 1953)
  39. Y. Toyazawa. J. Phys. Soc. Japan, 17, 986 (1962)
  40. N. Kuze, K. Nagase, S. Muramatsu, S. Miya, T. Iwabuchi, A. Ishii, I. Shibasaki. J. Cryst. Growth, 150, 1307 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme