Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния gamma-облучения на фоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет Стратклайда, G40NG Глазго, Великобритания
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет Стратклайда, G40NG Глазго, Великобритания
Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Изучено влияние gamma-облучения (60Co) на фоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5. Установлено, что спектральная зависимость эффективности фотопреобразования сохраняется при облучении гетеропереходов потоками до 2·1019 квант / см2. Изучены зависимости фотонапряжения холостого хода и тока короткого замыкания от потока gamma-квантов. Показано, что при потоках Phi<1017 квант / см2 фотоэлектрические параметры гетеропереходов практически не изменяются, тогда как с ростом Phi>1017 квант / см2 фототок проявляет монотонный спад, а фотонапряжение имеет максимум, после которого возвращается к исходному значению. Обнаружена возможность использования гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5 в условиях повышенного радиационного фона. PACS: 78.66.-w, 78.66.Li, 72.40.+w, 73.50.Pz
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentsov. In: Ioffe Institute 1918--1998. Development and Reserch Activities (St. Petersburg, Ioffe Institute, 1998) p. 68--100
- I.V. Grekhov. In: Ioffe Institute 1918--1998. Development and Research Activities (St. Petersburg, Ioffe Institute, 1998) p. 119--131
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
- M. Yamaguchi, C. Hemura, A. Yamamoto. J. Appl. Phys., 55, 1429 (1984)
- C.F. Gay, R.R. Potter, D.P. Tanner, B.E. Anspaugh. Proc. 17th IEEE Photov. Spec. Conf. (1984) p. 151
- M. Yamaguchi. J. Appl. Phys., 78, 1476 (1995)
- A. Jasenek, H.-W. Schock, J.H. Werner, U. Rau. Appl. Phys. Lett., 79, 2922 (2001)
- Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
- И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
- И.В. Боднарь, С.Е. Никитин, Г.А. Ильчук, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 38, 1228 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
