Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2CEMES-CNRS and Universite de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP, CEDEX 4, Toulouse, France
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2CEMES-CNRS and Universite de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP, CEDEX 4, Toulouse, France
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ArteevDS@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 9 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2024 г.
Экспериментально продемонстрирована возможность получения гетероструктур на основе GaN с композитным InAlN/AlGaN-барьером со значением слоевого сопротивления ~220-230 Ом/квадрат при комнатной температуре методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, что сопоставимо с коммерческими структурами с InAlN-барьерами. На основе численных расчетов показано, что серьезный вклад в снижение подвижности двумерного электронного газа дает рассеяние на сплавном потенциале твердого раствора в слое AlGaN. Ключевые слова: нитрид галлия, транзистор, InAlN.
- Y. Cao, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 90, 182112 (2007). DOI: 10.1063/1.2736207
- B. Mazumder, S.W. Kaun, J. Lu, S. Keller, U.K. Mishra, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 102, 111603 (2013). DOI: 10.1063/1.4798249
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, D.A. Zakheim, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov. J. Phys.: Conf. Ser., 1400, 077009 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1400/7/077009
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, A.F. Tsatsulnikov, M.I. Gindina, P.N. Brunkov. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012206 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012206
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov. Materials, 15, 8945 (2022). DOI: 10.3390/ma15248945
- A.M. Thron, J. Gao, B. Ercan, M.A. Laurent, S. Chowdhury, K. Van Benthem. Phys. Status Solidi A, 218, 2100304 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202100304
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov. J. Phys.: Conf. Ser., 2103, 012202 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012202
- C.E.C. Wood, D. Jena. Polarization Effects in Semiconductors: From Ab Initio Theory to Device Applications (Springer, N.Y.--London, 2008)
- N. Pant, Z. Deng, E. Kioupakis. Appl. Phys. Lett., 117, 242105 (2020). DOI: 10.1063/5.0027802
- S.N. Alam, V.Z. Zubialevich, B. Ghafary, P.J. Parbrook. Sci. Rep., 10, 16205 (2020). DOI: 10.1038/s41598-020-73160-7
- N.G. Weimann, L.F. Eastman, D. Doppalapudi, H.M. Ng, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 83 (7), 3656 (1998). DOI: 10.1063/1.366585
- sweGaN. Accessed: May 02, 2024. [Online]. Available: https://swegan.se/fe-doped/
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
