Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 10 » Статья стр. 561
<<<>>>
Измерение времени жизни экситона в двойной полумагнитной квантовой яме с помощью магнитооптического эффекта Керра
Дейсадзе Г.Р.1, Афанасьев М.М1, Грибакин Б.Ф.2, Karczewski G.3, Кавокин К.В.2, Кусраев Ю.Г.1, Калевич В.К. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
Email: m.afanasiev@mail.ioffe.ru, kalevich@solid.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 20 августа 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2024 г.
PDF версия
Магнитооптический эффект Керра, возникающий в слабом переменном магнитном поле в геометрии Фарадея, использован для измерения радиационного Γ 0 и нерадиационного Γ уширения экситонного резонанса в полумагнитной квантовой яме Cd0.984Mn0.016Te, отделенной от более широкой немагнитной ямы CdTe туннельно-прозрачным барьером. Измеренные значения, выраженные в энергетических единицах, составили hΓ 0~114 мкэВ и hΓ~4.6 мэВ. Большому значению Γ соответствует туннелирование носителей заряда из узкой ямы за время <0.1 пс. Ключевые слова: полумагнитные полупроводниковые наноструктуры, магнитооптический эффект Керра.
  1. E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures (Springer, 2007)
  2. E.S. Khramtsov, P.S. Grigoryev, D.K. Loginov, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, P.Yu. Shapochkin, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B, 99, 035431 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.99.035431
  3. O.V. Borovkova, F. Spitzer, V.L. Belotelov, I.A. Akimov, A.N. Poddubny, G. Karczewski, M. Wiater, T. Wojtowicz, A.K. Zvezdin, D.R. Yakovlev, M. Bayer. Nanophotonics, 8 (2), 287 (2019). DOI.org/10.1515/nanoph-2018-0187
  4. Д.Ф. Мурсалимов, А.В. Михайлов, А.С. Курдюбов, А.В. Трифонов, И.В. Игнатьев. ФТП, 55 (11), 963 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51547.43
  5. А.В. Михайлов, А.С. Курдюбов, E.C. Храмцов, И.В. Игнатьев, Б.Ф. Грибакин, S. Cronenberger, D. Scalbert, М.Р. Владимирова, R. Andrе. ФТП, 57 (7), 603 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56837.23k
  6. V. Agekyan, N. Filosofov, G. Karczewski, A. Serov, I. Shtrom, A. Reznitsky. J. Phys.: Conf. Ser., 2103, 012102 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012102
  7. Introduction to the physics of diluted magnetic semiconductors, ed. by J. Kossut, J.A. Gaj (Springer, 2010)
  8. М.М. Глазов. ФТТ, 54 (1), 3 (2012)
  9. C. Gourdon, V. Jeudy, M. Menant, D. Roditchev, Le Anh Tu, E.L. Ivchenko, G. Karczewski. Solid State Commun., 123, 299 (2002)
  10. C. Gourdon, G. Lazard, V. Jeudy, C. Testelin, E.L. Ivchenko, G. Karczewski. Appl. Phys. Lett., 82, 230 (2003). http://dx.doi.org/10.1063/1.1534617
  11. E. Kirstein, N.V. Kozyrev, M.M. Afanasiev, V.N. Mantsevich, I.S. Krivenko, V.K. Kalevich, M. Salewski, S. Chusnutdinow, T. Wojtowicz, G. Karczewski, Yu.G. Kusrayev, E.A. Zhukov, D.R. Yakovlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 101, 035301 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.035301
  12. A.A. Kiselev, E.L. Ivchenko, A.A. Sirenko, T. Ruf, M. Cardona, D.R. Yakovlev, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 184-185, 831 (1998)
  13. G.V. Astakhov, V.A. Kosobukin, V.P. Kochereshko, D.R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, T. Wojtovicz, G. Karczewski, J. Kossut. Eur. Phys. J., B 24, 7 (2001). DOI: org/10.1007/s100510170016

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme