"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Кузан Л.Ф.1, Литвин О.С.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Исследовано образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe в зависимости от плотности мощности лазерного излучения при однократном облучении. Установлены оптимальные режимы лазерного облучения кристаллов, при которых образуется однородная структура с периодом 100 нм и с латеральными размерами ~(19-20) нм и средней высотой ~(3.40-9.38) нм. Обнаружено, что периодичность проявляется строго в одном из кристаллографических направлений.
  • А. Байдуллаева, М.Б. Булах, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 38 (1), 26 (2004)
  • В.В. Артамонов, А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Н.В. Вуйчик, О.С. Литвин, П.Е. Мозоль, В.В. Стрельчук. ФТТ, 46 (8), 1489 (2004)
  • Б.М. Булах, С.М. Красикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 9, 1112 (1973)
  • L. Marsal, H. Mariette, Y. Samson, J.L. Rouviere, E. Picard. Appl. Phys. Lett., 73, 2974 (1998)
  • А.К. Гутаковский, В.М. Елисеев, Р.И. Любинская, Н.В. Лях, А.С. Мардежов, И.П. Петренко, Л.Д. Покровский, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец. Поверхность. Физика, химия, механика, N 9, 80 (1988)
  • В.Н. Бабенцов, А. Байдуллаева, А.И. Власенко, С.И. Горбань, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 27 (10), 1618 (1993)
  • В.И. Емельянов. ФТТ, 43 (4), 637 (2001)
  • Б.Л. Володин, Б.И. Емельянов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 55 (7), 1274 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.