Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In0.75Ga0.25As/InAlAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: chernov@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2024 г.
Принята к печати: 13 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены нелегированные метаморфные структуры с квантовой ямой In0.75Ga0.25As и различной конструкцией барьерных слоев (In,Al)As. Представлены результаты исследований электрофизических параметров таких структур четырехконтактным методом Ван дер Пау и бесконтактным методом, основанным на анализе распространения поверхностных акустических волн вдоль границы раздела пьезоэлектрика LiNbO3 и образца. Увеличение толщины нижнего барьерного слоя (In,Al)As квантовой ямы, а также оптимизация температуры роста и соотношения потоков элементов V и III групп (As4/III) позволили получить концентрацию и подвижность носителей в двумерном канале In0.75Ga0.25As толщиной 30 нм ≤3.4·1011 см-2 и ≥2·10^5 cм^2/(В·с) соответственно, при T=1.7 K. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, метаморфные гетероструктуры, метаморфный буферный слой, двумерный электронный канал, InGaAs/InAlAs.
- J.Y. Park, B.-G. Min, J.-M. Lee, W. Chang, D.M. Kang, E-S. Jang, J. Kim, J.-G. Kim. Electron. Lett., 59 (14), e12886 (2023)
- J. Ajayan, T. Ravichandran, P. Mohankumar, P. Prajoon, J.C. Pravin, D. Nirmal. IETE J. Res., 67 (3), 366 (2021)
- J. A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
- F. Heinz, F. Thorne, A. Leuther, O. Ambacher. IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, 69 (8), 3896 (2021)
- S.V. Ivanov, M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, P.N. Brunkov, D.D. Firsov, O.S. Komkov. Progr. Cryst. Growth Charact. Mater., 65 (1), 20 (2019)
- F. Capotondi, G. Biasiol, I. Vobornik, L. Sorba, F. Giazotto, A. Cavallini, B. Fraboni. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 702 (2004)
- M.Yu. Chernov, O.S. Komkov, D.D. Firsov, B.Ya. Meltser, A.N. Semenov, Ya.V. Terent'ev, P.N. Brunkov, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, V.A. Solov'ev. J. Cryst. Growth, 477 (1), 97 (2017)
- V.A. Solov'ev, M.Yu. Chernov, M.V. Baidakova, D.A. Kirilenko, M.A. Yagovkina, A.A. Sitnikova, T.A. Komissarova, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. Superlat. Microstruct., 113, 777 (2018)
- Y. Asaoka. J. Cryst. Growth, 251, 40 (2003)
- V.A. Solov'ev, M.Yu. Chernov, A.A. Sitnikova, P.N. Brunkov, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. Semiconductors, 52, 120 (2018)
- Ю.Г. Галицин, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Письма ЖЭТФ, 84 (9), 596 (2006)
- I.L. Drichko, I.Yu. Smirnov. Semiconductors, 31, 933 (1997)
- V.D. Kagan. Semiconductors, 31, 407 (1997)
- I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Y. Smirnov, Y.M. Galperin, A.I. Toropov. Phys. Rev. B, 62, 7470 (2000)
- T. Ando. J. Phys. Soc. Jpn., 37, 1233 (1974)
- G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.А. Klimov, S.S. Pushkarev, A.N. Klochkov, P.P. Maltsev, M.Yu. Presniakov, I.N. Trunkin, A.L. Vasiliev. J. Cryst. Growth, 392, 11 (2014)
- F. Capotondi. G. Biasiol, D. Ercolani, L. Sorba. J. Cryst. Growth, 278, 538 (2005)
- S. Gozu, K. Tsuboki, M. Hayashi, C. Hong, S. Yamada. J. Cryst. Growt, 201--202, 749 (1999)
- А. Шиленас, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, Е.А. Климов. ФТП, 47 (3), 348 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
