Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
"Модуляция" характеристик интенсивного пикосекундного стимулированного излучения из GaAs
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Казахский национальный технологический университет, Алма-Ата, Казахстан
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Казахский национальный технологический университет, Алма-Ата, Казахстан
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
-1 Исследовалось интенсивное пикосекундное стимулированное излучение из торца тонкого слоя GaAs. Излучение возникало при накачке GaAs мощными пикосекундными импульсами света. Обнаружена модуляция зависимостей энергии излучения от: а) энергии фотона, б) пикосекундной задержки между двумя импульсами накачки, в) расстояния между активной областью и торцом. Под модуляцией подразумевалось появление локальных выступов или максимумов на графике какой-либо зависимости. Параметры модуляции названных характеристик излучения оказались связаны соотношениями, позволяющими предполагать следующее. К модуляции характеристик приводит один общий, пока окончательно не установленный, механизм автомодуляции спектра излучения, обусловленный сверхбыстрым нелинейным взаимодействием сильно фотовозбужденного полупроводника со светом накачки и стимулированным излучением. По косвенным признакам этот механизм приводит еще и к амплитудной модуляции излучения в пикосекундном диапазоне времен.
- Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin, H.M. Van Driel, G.R. Allan. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed. by K. Hess (Plenum Press, N.Y., 1996) p. 587
- L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256 (1977)
- E.O. Goebel, O. Hildebrandt, K. Lohnert. IEEE J. Quant. Electron. QE-13 (10), 848 (1977)
- K.Y. Lau, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 40, 452 (1982)
- П.Г. Елисеев. Введение в физику инжекционных лазеров (М., Наука, 1983) с. 294
- К. Лау, А. Ярив. В сб.: Полупроводниковые инжекционные лазеры под ред. У. Тсанга (М.: Радио и связь, 1990) с. 73
- N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel', B.S. Yavich. Sol. St. Commun., 72 (7), 625 (1989)
- Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 13 (1999)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
- D.T.F. Marple. J. Appl. Phys., 35 (4), 1241 (1964)
- А. Ривлин. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов (М., Сов. радио, 1976) с. 175
- Г.С. Алтыбаев, И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков. ФТП, 38, 674 (2004)
- Д. Брэдли. В сб.: Сверхкороткие световые импульсы, под ред. С. Шапиро (М., Мир, 1981) с. 35.
- K. Lau. J. Lightwave Technol., 7 (2), 400 (1989),
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 37, 546 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
