Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом

Фоминых Н.А.¹, Крыжановская Н.В.¹, Комаров С.Д.¹, Махов И.С.¹, Иванов К.А.¹, Моисеев Э.И.¹, Антонов Е.Е.¹, Гусева Ю.А.², Кулагина М.М.², Минтаиров С.А.², Калюжный Н.А.², Хабибуллин Р.А.³, Галиев Р.Р.³, Павлов А.Ю.³, Томош К.Н.³, Жуков А.Е.¹

¹Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia

Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia

Email: fominy-nikita@yandex.ru

Поступила в редакцию: 10 февраля 2024 г.

В окончательной редакции: 18 марта 2024 г.

Принята к печати: 5 апреля 2024 г.

Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы микродисковые лазеры диаметром 30 и 40 мкм с активной областью на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, латерально сопряженные с оптическим волноводом. Микролазеры и волноводы были изготовлены в едином процессе на одной подложке GaAs. Проведено исследование спектральных характеристик при протекающих через микролазер и (или) волновод токах инжекции, превышающих порог генерации до 4 раз. Показана возможность снижения потерь на поглощение в волноводе с помощью приложения к нему прямого смещения. Реализована оптопара, в которой источником излучения служит микродисковый лазер, сопряженный с волноводом, а приемником излучения - волноводный фотодетектор. Плотность темнового тока волноводного фотодетектора составила 1.1 мкА/см² при обратном смещении -6 В. Ключевые слова: микролазеры, квантовые точки, оптический волновод, оптопара, волноводный фотодетектор.

X. Mu, S. Wu, L. Cheng, H.Y. Fu. Appl. Sci., 10 (4), 1538 (2020)
P. Jiang and K.C. Balram. Opt. Express, 28 (8), 12262 (2020)
N. Kryzhanovskaya, A. Zhukov, E. Moiseev, M. Maximov. J. Phys. D: Appl. Phys., 54 (45), 453001 (2021)
F. Ou, X. Li, B. Liu, Y. Huang, S.T. Ho. Optics lett., 35 (10), 1721 (2010)
W.W. Wong, C. Jagadish, H.H. Tan. IEEE J. Quant. Electron., 58 (4), 1 (2022)
X.M. Lv, Y.Z. Huang, Y.D. Yang, H. Long, L.X. Zou, Q.F. Yao, X. Jin, J.L. Xiao, Y. Du. Opt. Express, 21 (13), 16069 (2013)
S.J. Choi, K. Djordjev, S.J. Choi, P.D. Dapkus. IEEE Photon. Technol. Lett., 15 (10), 1330 (2003)
W. Xie, T. Stoferle, G. Raino, T. Aubert, S. Bisschop, Y. Zhu, R.F. Mahrt, P. Geiregat, E. Brainis, Z. Hens, D.V. Thourhout. Advanced Mater., 29 (16), 1604866 (2017)
X. Xu, T. Maruizumi, Y. Shiraki. Opt. Express, 22 (4), 3902 (2014)
L.X. Zou, X.M. Lv, Y.Z. Huang, H. Long, Q.F. Yao, Y. Du. Optics and Photonics J., 3 (2), 66 (2013)
N.V. Kryzhanovskaya, K.A. Ivanov, N.A. Fominykh, S.D. Komarov, I.S. Makhov, E.I. Moiseev, J.A. Guseva, M.M. Kulagina, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.I. Lihachev, R.A. Khabibullin, R.R. Galiev, A.Yu. Pavlov, K.N. Tomosh, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 134 (10), 103101 (2023)
D. Inoue, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, N. Nishiyama, S. Arai, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 113 (9), 093506 (2018)
Н.В. Крыжановская, С.А. Блохин, И.С. Махов, Э.И. Моисеев, А.М. Надточий, Н.А. Фоминых, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, Ю.А. Гусева, М.М. Кулагина, Ф.И. Зубов, Е.С. Колодезный, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 57 (3), 202(2023)
Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.М. Надточий, А.А. Харченко, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. Письма ЖТФ, 46 (13), 7 (2020)
S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26 (38), 385202 (2015)
M.K. Chin, S.T. Ho. J. Lightwave Technol., 16 (8), 1433 (1998)
F. Zubov, M. Maximov, E. Moiseev, A. Vorobyev, A. Mozharov, Yu. Berdnikov, N. Kaluzhnyy, S. Mintairov, M. Kulagina, N. Kryzhanovskaya, A. Zhukov. Optics Lett., 46 (16), 3853 (2021)
J. Huang, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, Q. Li, K.M. Lau, A.C. Gossard, J.E. Bowers, B. Chen. ACS Photonics, 6 (5), 1100 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель