Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки

Лебедев А.А¹, Сахаров А.В.¹, Козловский В.В.², Малевский Д.А.¹, Николаев А.Е.¹, Левинштейн М.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 30 января 2024 г.

В окончательной редакции: 5 февраля 2024 г.

Принята к печати: 29 февраля 2024 г.

Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Определены скорости удаления электронов при протонном и электронном облучении GaN n-типа, выращенного методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Облучение производилось протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне флюенсов 0≤Phi_p≤5·10¹⁴ см^-2; диапазон флюенсов при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ составлял 0≤Phi_n≤5·10¹⁴ см^-2. Установленное значение скорости удаления при протонном облучении, eta_p~140 см^-1, близко к нижней границе известных в настоящее время величин eta_p и свидетельствует о достаточно высоком уровне радиационной стойкости исследованного материала по отношению к протонному облучению. Скорость удаления носителей под влиянием электронного облучения eta_e составляет ~0.47 см^-1 и соответствует типичным значениям eta_e, характерным для нитрида галлия n-типа, полученного различными методами. Ключевые слова: нитрид галлия, протонное облучение, электронное облучение, скорость удаления носителей.

X. Liu, P. Zou, H. Wang, Yu. Lin, J. Wu, Z. Chen, X. Wang, Sh. Huang. IEEE Trans. Electron Dev., 70, 3748 (2023)
M. Matys, K. Kitagawa, T. Narita, T. Uesugi, J. Suda, T. Kachi. Appl. Phys. Lett., 121, 203507 (2022)
D. Khachariya, Sh. Stein, W. Mecouch, M. Hayden Breckenridge, Sh. Rathkanthiwar, S. Mita, B. Moody¹, P. Reddy, J. Tweedie, R. Kirste, K. Sierakowski, G. Kamler, M. Bockowski, E. Kohn, S. Pavlidis, R. Collazo, Z. Sitar. Appl. Phys. Express, 15, 101004 (2022)
А.А. Лебедев, П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов. УФН, 189 (8), 803 (2019)
А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Р.А. Кузьмин. ФТП, 56 (8), 809 (2022)
А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян. ФТП, 57 (1), 53 (2023)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
E. Omotoso, W.E. Meyer, F. D. Auret, A.T. Paradzah, M. Diale, S.M.M. Coelho, P.J. Janse, van Rensburg. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 112 (2015)
Z. Luo, T. Chen, J.D. Cressler, D.C. Sheridan, J.R. Williams, R.A. Reed, P.W. Marshall. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 1821 (2003)
V. Emtsev, A. Ivanov, V. Kozlovski, A. Lebedev, G. Oganesyan, N. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
S.J. Pearton, F. Ren, E. Patrick, M.E. Law, A.Y. Polyakov. ECS J. Solid State Sci. Tech., 5 (2), Q35 (2016)
A.Y. Polyakov, In-Hwan Lee, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova, N.G. Kolin, A.V. Korulin, V.M. Boiko, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 109, 123703 (2011)
S. Narita, T. Hitora, E. Yamaguchi, Y. Sakemi, M. Itoh, H. Yoshida, J. Kasagi, K. Neich. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 717, 1 (2013)
S.J. Pearton, R. Deist, F. Ren, Lu Liu, A.Y. Polyakov, J. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A, 31 (5), 050801 (2013)
M. Hayes, F.D. Auret, L. Wu, W.E. Meyer, J.M. Nel, M.J. Legodi. Physica B, 340--342, 421 (2003)
V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, E.E. Haller, A.A. Klochikhin, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, N.M. Shmidt, V.A. Vekshin, A.S. Usikov. Physica B: Condens. Matter, 308--310, 58 (2001)
D. Zakheim, W. Lundin, A. Sakharov, E. Zavarin, P. Brunkov, E. Lundina, A. Tsatsulnikov, S. Karpov. Semicond. Sci. Technol., 33, 115008 (2018)
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons Inc., N.Y., 2001)
A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, K.S. Davydovskaya, M.E. Levinshtein. Materials, 14, 4976 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель