Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние режимов травления на морфологию и состав поверхности многослойного пористого кремния
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
Email: lenshinas@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 7 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
На основе данных рентгеновской рефлектометрии и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии показана возможность управления пористостью поверхности с использованием многостадийных режимов электрохимического травления. Показано, как с ростом показателя пористости приповерхностного слоя изменяется морфология и увеличивается степень окисления образцов многослойного пористого кремния. Ключевые слова: пористый кремний, рентгеновская рефлектометрия, пористость.
- L. Canham. Handbook of Porous Silicon (Springer, C.H., 2014) p. 733. DOI: 10.1007/978-3-319-05744-6
- C. Pacholski. Sensors, 13, 4694 (2013). DOI: 10.3390/s130404694
- R. Moretta, L. De Stefano, M. Terracciano, I. Rea. Sensors, 21, 1336 (2021). DOI: 10.3390/s21041336
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990). DOI: 10.1063/1.103561
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke. Appl. Surf. Sci., 476, 1049 (2019). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.01.239
- S. Asgharizadeh, M. Sutton, K. Robbie, T. Brown. Phys. Rev. B, 79, 125405 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.79.125405
- M. Servidori, C. Ferrero, S. Lequien, S. Milita, A. Parisini, R. Romestain, S. Sama, S. Setzu, D. Thiaudiere. Solid State Commun., 118, 85 (2001). DOI: 10.1016/S0038-1098(01)00036-9
- L.A. Balagurov, V.F. Pavlov, E.A. Petrova, G.P. Boronina. Semiconductors, 31, 815 (1997). DOI: 10.1134/1.1187259
- A.S. Lenshin, A.N. Lukin, Ya.A. Peshkov, S.V. Kannykin, B.L. Agapov, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya. Condens. Matter Interphases, 23, 41 (2021). DOI: 10.17308/kcmf.2021.23/3300
- A.S. Lenshin, Ya.A. Peshkov, M.V. Grechkina, S.V. Kannykin, Yu.A. Yurakov. J. Phys.: Conf. Ser., 1984, 012018 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/1984/1/012018
- D. Buttard, G. Dolino, D. Bellet, T. Baumbach, F. Rieutord. Solid State Commun., 109, 1 (1998). DOI: 10.1016/S0038-1098(98)00531-6
- A. Lenshin, Ya. Peshkov, K. Velichko, S. Kannykin. Int. Conf. on Information Technology and Nanotechnology (ITNT) (20-24 September 2021, Samara, Russian Federation, 1 (2021). DOI: 10.1109/ITNT52450.2021.9649173
- A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Bel'tyukov, F.Z. Gil'mutdinov. Appl. Surf. Sci., 359, 550 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
