"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Бесюлькин А.И.1, Гладышев А.Г.1, Сахаров А.В.1, Кокорев М.Ф.2, Шмидт Н.М.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1, Алфёров Ж.И.1, Каканаков Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Институт прикладной физики Болгарской академии наук, Пловдив, Болгария
Поступила в редакцию: 10 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений гетероструктур AlGaN/GaN. Получены структуры с двумерным электронным газом с подвижностью 1290 см2/(В · с) и концентрацией в канале 1.2· 1013 см-2 (при комнатной температуре). Рассмотрено влияние чистоты исходных компонентов на параметры полученных слоев и гетероструктур.
  • M. Marso, P. Javorka, A. Alam, M. Wolter, H. Hartdegen, A. Fox, M. Heuken, P. Kordos, H. Luth. Phys. Status Solidi (A), 188 (1), 199 (2001)
  • N. Zhang, B. Moran, S.P. DenBaars, U.K. Mishra, X.W. Wang, T.P. Ma. Phys. Status Solidi (A), 188 (1), 213 (2001)
  • G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M.S. Shur, R. Gaska. Phys. Status Solidi (A), 188 (1), 219 (2001)
  • N. Maeda, T. Saitoh, K. Tusubaki, N. Kobayashi. Phys. Status Solidi (A), 188 (1), 223 (2001)
  • Y. Liu, J.A. Bardwell, S.P. McAlister, H. Tang, J.B. Webb, T.W. MacElwee. Phys. Status Solidi (A), 188 (1), 233 (2001)
  • B. Shen, T. Someya, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2746 (2001)
  • www.compoundsemiconductor.net/articles/news/7/12/12/1
  • W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, M.F. Kokorev, R.N. Kutt, V.Yu. Davydov, V.V. Tretyakov, D.V. Pakhnin, A.S. Usikov. Phys. Status Solidi (A), 188 (2), 885 (2001)
  • M.F. Kokorev, N.A. Maleev. Semicond. Sci. Technol., 15 (3), 301 (2000).
  • M.F. Kokorev, N.A. Maleev, D.V. Pakhnin, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov. Proc. 9-=SUP=-th-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=- Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology", ed. by Zh. Alferov, L. Esaki (St. Petersburg, Russia, June 18-22, 2001) p. 230
  • A.S. Usikov, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, N.M. Shmidt, V.Yu. Davidov, A.V. Sakharov, T.V. Shubina, A.A. Toropov, N.N. Faleev, M. Shcheglov, A.F. Tsatsul'nikov. Proc. 7-=SUP=-th-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=- Int. Conf. on Silicon Carbide, III nitrides and Related Materials-97 (Stockholm, Sweden, September 1997) pt 2, p. 1393
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.