Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56470.34k

Российский научный фонд, 22-72-10111

Российский научный фонд, 22-12-00298

Козлов Д.В.^1,2, Жолудев М.С.^1,2, Мажукина К.А. ^1,2, Алешкин В.Я.^1,2, Гавриленко В.И.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: more@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.

Принята к печати: 1 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассчитаны времена захвата дырок на мелкие возбужденные уровни нейтральной вакансии ртути в твердом растворе Hg_1-xСd_xTe при испускании акустического фонона, а также времена переходов дырок с мелких локализованных уровней в континуум валентной зоны при различных значениях температуры. Вследствие перераспределения носителей по валентной зоне с температурой время захвата носителей на локализованные уровни нейтральной вакансии растет, а время ухода в континуум убывает. На основе результатов расчета предложена модель для описания температурного гашения фотолюминесценции, обусловленной излучательными переходами между локализованными состояниями дырок на нейтральной вакансии ртути. Ключевые слова: HgCdTe, фотолюминесценция, вакансия ртути.

W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2, 041303 (2015)
M. Kopytko, A. Rogalski. Sensors Actuators A: Physical, 339, 113511 (2022)
S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5, 035503-1 (2017)
B. Delacourt, P. Ballet, F. Boulard, A. Ferron, L. Bonnefond, T. Pellerin, A. Kerlain, V. Destefanis, J. Rothman. J. Electron. Mater., 46, 6817 (2017)
M. Kopytko. Opto-Electron. Rev., 31, 144548 (2023)
Q. Li, R. Xie, F. Wang, S. Liu, K. Zhang, T. Zhang, Y. Gu, J. Guo, T. He, Y. Wang, P. Wang, Y. Wei, W. Hu. Opt. Express,. 30, 16509 (2022)
F. Gemain, I.C. Robin, M. De Vita, S. Brochen, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 98, 131901 (2011)
B. Li, Y. Gui, Z. Chen, H. Ye, J. Chu, S. Wang, R. Ji, L. He. Appl. Phys. Lett., 73, 1538 (1998)
T. Sasaki, N. Oda, M. Kawano, S. Sone, T. Kanno, M. Saga. J. Cryst. Growth, 117, 222 (1992)
K.D. Mynbaev, S.V. Zablotsky, A.V. Shilyaev, N.L. Bazhenov, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky. Semiconductors, 50, 208 (2016)
J. Shao, X. LU, S. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. Phys. Rev. B, 80, 155125 (2009)
X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110, 043503 (2011)
A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, Y.L. Ivanov, M.S. Kipa. JETP Letters, 91, 96 (2010)
Д.А. Фирсов,Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Р.М. Балагула, И.С. Махов, Д.В. Козлов, А.П. Васильев. ФТП, 49, 30 (2015)
I.S. Makhov, V.Y. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.P. Vasil'ev, N.A. Maleev. J. Luminesc., 210, 352 (2019)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, М.С. Жолудев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Ф. Теппе. Журн. эксперимен. и теорет. физики, 154, 1226 (2018)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, Н.С. Куликов, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Х.-В. Хюберс, Ф. Теппе, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 109, 679 (2019)
D.V. Kozlov, V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, V.V. Utochkin, A.A. Razova, K.A. Mazhukina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko. Photonics, 9, 887 (2022)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, В.Я. Алешкин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 56, 1060 (2022)
В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука. 1984)
M.S. Kushwaha, S.S. Kushwaha. Canad. J. Phys., 58, 351 (1980)
H. Kepa, T. Giebultowicz, B. Buras, B. Lebech, K. Clausen. Physica Scripta, 25, 807 (1982)
E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035321 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель