"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Шустов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Приведены спектральные характеристики светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с активным слоем из InAs и резонатором, образованным широким анодным контактом и поверхностью структуры, излучающих вблизи 3.3 мкм при комнатной температуре. Приведены данные о диаграмме направленности и модовой структуре светодиодов с толщинами 7.5-45 мкм и зависимости положения мод от тока накачки.
  1. B.A. Matveev, G.A. Gavrilov, V.V. Evstropov, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, G.Yu. Sotnikova, N.M. Stus', G.N. Talalakin, J. Malinen. Sensors Actuators B, 38--39, 339 (1997)
  2. S.S. Kizhaev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Yu.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron., 140 (1), 36 (2002)
  3. D.A. Wright, V.V. Sherstnev, A. Krier, A.M. Monakhov, G. Hill. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 314 (2003)
  4. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Optics., 49 (5/6), 743 (2002)
  5. R.C. Johnes. Appl. Optics, 1, 607 (1962)
  6. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002)
  7. S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651, 157 (2002)
  8. M. Aidaraliev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 18, 269 (2003)
  9. T.J. Rogers, D.G. Deppe, B.G. Streetman. Appl. Phys. Lett., 57, 1858 (1990)
  10. E.F. Schubert. Y.-H. Wang, A.Y. Cho, L.-W. Tu, G.J. Zydzik. Appl. Phys. Lett., 60, 921 (1992)
  11. E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995)
  12. K. Kellermann, D. Zimin, K. Alchalabi, N.A. Pikhtin, H. Zogg. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 337 (2003)
  13. W. Heiss, M. Bolberi. T. Schwarzi, G. Spinholz, J. Furst, H. Pascher. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 332 (2003)
  14. D. Gevaux, A. Green, C. Palmer, P. Stavrinou, C. Roberts, C. Philips. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 360 (2003)
  15. M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 20 (3--4), 548 (2004)
  16. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
  17. Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, И.Г. Груздов, А.Г. Джигасов, Н.Д. Ильинская, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. Письма ЖТФ, 8 (5), 257 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.