"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Шустов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Приведены спектральные характеристики светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с активным слоем из InAs и резонатором, образованным широким анодным контактом и поверхностью структуры, излучающих вблизи 3.3 мкм при комнатной температуре. Приведены данные о диаграмме направленности и модовой структуре светодиодов с толщинами 7.5-45 мкм и зависимости положения мод от тока накачки.
  • B.A. Matveev, G.A. Gavrilov, V.V. Evstropov, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, G.Yu. Sotnikova, N.M. Stus', G.N. Talalakin, J. Malinen. Sensors Actuators B, 38--39, 339 (1997)
  • S.S. Kizhaev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Yu.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron., 140 (1), 36 (2002)
  • D.A. Wright, V.V. Sherstnev, A. Krier, A.M. Monakhov, G. Hill. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 314 (2003)
  • B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Optics., 49 (5/6), 743 (2002)
  • R.C. Johnes. Appl. Optics, 1, 607 (1962)
  • B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002)
  • S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651, 157 (2002)
  • M. Aidaraliev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 18, 269 (2003)
  • T.J. Rogers, D.G. Deppe, B.G. Streetman. Appl. Phys. Lett., 57, 1858 (1990)
  • E.F. Schubert. Y.-H. Wang, A.Y. Cho, L.-W. Tu, G.J. Zydzik. Appl. Phys. Lett., 60, 921 (1992)
  • E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995)
  • K. Kellermann, D. Zimin, K. Alchalabi, N.A. Pikhtin, H. Zogg. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 337 (2003)
  • W. Heiss, M. Bolberi. T. Schwarzi, G. Spinholz, J. Furst, H. Pascher. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 332 (2003)
  • D. Gevaux, A. Green, C. Palmer, P. Stavrinou, C. Roberts, C. Philips. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 360 (2003)
  • M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 20 (3--4), 548 (2004)
  • V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
  • Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, И.Г. Груздов, А.Г. Джигасов, Н.Д. Ильинская, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. Письма ЖТФ, 8 (5), 257 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.