Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 МэВ

Строкан Н.Б.¹, Иванов А.М.¹, Савкина Н.С.¹, Лебедев А.А.¹, Козловский В.В.², Syvajarvi M.³, Yakimova R.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция

Поступила в редакцию: 19 января 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

PDF версия

Исследовались детекторы ядерного излучения на базе SiC со структурой: легированная подложка n⁺-типа / эпитаксиальный слой p-типа / барьер Шоттки. Структуры со слоем политипа 6H-SiC толщиной ~10 мкм проявляли транзисторные свойства, а со слоем 4H-SiC толщиной ~30 мкм - диодные. Установлено, что у структур транзисторного типа наблюдается более чем десятикратное усиление сигнала. Усиление сохраняется при облучении протонами с энергией 8 МэВ как минимум до дозы 5·10¹³ см^-2 при значении разрешающей способности =<10%. В структурах "диодного" типа усиления сигнала не наблюдалось. Но даже при максимальной дозе 2·10¹⁴ см^-2 имелась группа образцов с разрешением ~3%, приемлемым для ряда задач.

Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)
A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett., 79, 4447 (2001)
A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.A. Lebedev, Yu.T. Mironov, G.A. Riabov, E.M. Ivanov. Appl. Surf. Sci., 184, 431 (2001)
Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
W. Jiang, S. Thevuthasan, W.J. Weber, R. Grotzschel. Nucl. Instrum. Meth. B, 161--163, 501 (2000)
S. Lazanu, I. Lazanu, E. Borchi, M. Bruzzi. Nucl. Instrum. Meth. A, 485, 768 (2002)
А.М. Иванов, Е.В. Калинина, А.О. Константинов, Г.А. Онушкин, A. Hallen, Н.Б. Строкан, Г.Ф. Холуянов. Письма ЖТФ (2004)
S.M. Ryvkin, L.L. Makovski, N.B. Strokan, V.P. Subashieva, A.Kh. Khusainov. IEEE Trans. Nucl. Sci., 15 (3), 226 (1968)
В.К. Еремин, Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек. ФТП, 8, 1157 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель