Исследовались детекторы ядерного излучения на базе SiC со структурой: легированная подложка n⁺-типа / эпитаксиальный слой p-типа / барьер Шоттки. Структуры со слоем политипа 6H-SiC толщиной ~10 мкм проявляли транзисторные свойства, а со слоем 4H-SiC толщиной ~30 мкм - диодные. Установлено, что у структур транзисторного типа наблюдается более чем десятикратное усиление сигнала. Усиление сохраняется при облучении протонами с энергией 8 МэВ как минимум до дозы 5·10¹³ см^-2 при значении разрешающей способности =<10%. В структурах "диодного" типа усиления сигнала не наблюдалось. Но даже при максимальной дозе 2·10¹⁴ см^-2 имелась группа образцов с разрешением ~3%, приемлемым для ряда задач.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.