Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Устойчивость обработанных протонами GaAs фотодетекторов к гамма-нейтронному облучению

Мурель А.В.¹, Оболенский С.В.², Фефелов А.Г.², Киселева Е.В.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 16 декабря 2003 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

PDF версия

Исследованы характеристики облученных протонами эпитаксиальных i-GaAs-структур фотодетекторов со встречно-штыревой системой электродов до и после воздействия гамма-нейтронного облучения. Чтобы уменьшить темновой ток фотодетекторов, металлизация электродов производилась на облученных протонами i-GaAs-структурах, а затем проводилось вжигание при температуре 300^oC в течение 30 мин, что приводило к частичному восстановлению проводимости эпитаксиального слоя. На основании измерений спектральных зависимостей фоточувствительности структур показано, что при энергиях оптических квантов, близких к ширине запрещенной зоны, фоточувствительность облученных протонами структур устойчива к воздействию гамма-нейтронного облучения, что позволяет предложить их для создания радиационно-стойких фотодетекторов.

С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
Р. Зулиг. В сб.: Арсенид галлия в микроэлектронике (М., Мир, 1988)
А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, В.К. Кононов, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.Ф. Тхорик. Электрон. техн. Сер. Управление качеством, (4), 31 (1992)
В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
С.В. Оболенский. Физика и химия обраб. материалов, 5 (2001)
В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
В.Н. Брудный, А.И. Потапов. ФТП, 35, 1423 (2001)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, В.А. Новиков. ФТП, 35, 739 (2001)
В.П. Кладько, В.П. Пляцко. ФТП, 32, 261 (1998)
Y.L. Luo, T.P. Chen, S. Fang, C.D. Beling. Sol. St. Commun., 101, 715 (1997)
Д. Ланг. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах. Сер. Новости физики твердого тела (М., Мир. 1979) вып. 9, с. 187
В.А. Новиков,В.В. Пешев. ФТП, 32, 411 (1998)
S.A. Goodman, F.D. Auret, M. Ridgway, G. Myburg. Nucl. Instrum. Meth. B, 148, 446 (1999)
C. Chiossi, F. Nava, C. Canali, S. D'Auria, C. del Papa, A. Castaldini, A. Cavallini, C. Lanzieri. Nucl. Instrum. Meth. A, 388, 379 (1997)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.А. Новиков, А.И. Нойфех, В.В. Пешев. ФТП, 31, 811 (1997)
В.Н. Брудный, В.В. Пешев. ФТП, 37, 22 (2003)
F. Nava, P. Vanni, A. Cavallini, A. Castaldini, C. Canali, A. Alberigi Quaranta, C. Lanzieri. Nucl. Phys. B, 61B, 432 (1998)
Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978)
С.В. Оболенский, В.Д. Скупов. Письма ЖТФ, 26, 1 (2000)
М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир. 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель