Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400-700^oC

Неустроев Е.П.¹, Смагулова С.А.¹, Антонова И.В.², Сафронов Л.Н.²

¹Якутский государственный университет, Якутск, Россия
²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 18 ноября 2003 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние облучения электронами на формирование термодоноров в кремнии. Обнаружено образование областей n- и p-типа проводимости в объеме монокристаллического кремния, облученного электронами и отожженного при температуре 450^oC. Концентрации носителей в областях обоих типов проводимости возрастают с увеличением дозы облучения и времени отжига, что говорит о формировании не только термодоноров, но и термоакцепторов. Неоднородность распределения акцепторных и донорных центров коррелирует с флуктуациями в концентрации кислорода в кремнии.

Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002) ч. 1
A. Borhgesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. App. Phys., 77, 4169 (1995)
В.Н. Мордкович. ФТП, 6, 847 (1964)
В.Ф. Стась, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, Л.С. Смирнов. ФТП, 34, 162 (2000)
P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev., 45, 11 612 (1992)
Е.П. Неустроев, И.В. Антонова, В.П. Попов, Д.В. Киланов, А. Мисюк. ФТП, 33, 1153 (1999)
E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, V.I. Obodnikov. Physica B, 270, 1 (1999)
С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.А. Скуратов. ФТП, 37, 552 (2003)
T. Hallberg, J.L. Lingstrom. J. Appl. Phys., 72, 5130 (1992)
C.A. Londos, I.V. Antonova, M. Potsidou, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A.K. Gutacovskii. J. Appl. Phys., 91, 1198 (2002)
A. Henry, K. Saminadayar, J.L. Pantrat, N.H. Magnea. Phys. St. Sol. (a), 107 (1), 101 (1988)
В.В. Литвинов, Г.В. Пальчик, В.И. Уренев. ФТП, 24, 376 (1990).
В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 22, 1324 (1988)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 24, 1721 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель