Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 10 » Статья стр. 1011
<<<>>>
Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53964.9961
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54910.9961
Мохов Е.Н.1, Давыдов В.Ю.1, Смирнов А.Н.1, Нагалюк С.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Valery.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2022 г.
Принята к печати: 26 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
PDF версия
Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.
  1. H.X. Jiang, J.Y. Lin. ECS J. Solid State Sci. Technol., 6, Q3012 (2017)
  2. R. Haubner, M. Wilhelm, R. Weissenbacher, B. Lux. In High Performance Non-Oxide Ceramics II, ed. by M. Jansen (Springer Berlin Heidelberg, Berlin-Heidelberg, 2002) p. 1
  3. Y. Li. Innovative synthesis and characterization of large h-BN single crystals: from bulk to nanosheets Materials (Universite de Lyon, 2019). NNT: 2019LYSEI025
  4. L. Wang, X. Xu, L. Zhang, R. Oiao, M. Wu, Z. Wang, S. Zhang, J. Liang, Z. Zhang, Z. Zhang, W. Chen, X. Xie, J. Zong, Y. Shan, Y. Guo, M. Willinger, Y. Wu, Q. Li, W. Wang, P. Gao, S. Wu, Y. Zhang, Y. Jiang, D. Yu, E. Wang, X. Bai, Z.-J. Wang, F. Ding, K. Liu. Nature, 570, 91 (2019)
  5. S. Majety, J. Li, X.K. Cao, R. Dahal, B.N. Pantha, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 100, 061121 (2012)
  6. K.Y. Ma, M. Kim, H.S. Shin. Acc. Mater. Res., 3, 748 (2022)
  7. J.H. Edgar, T.B. Hoffman, B. Clubine, M. Currie, X.Z. Du, J.Y. Lin, H.X. Jiang. J. Cryst. Growth, 403, 110 (2014)
  8. K. Yoichi, W. Kenji, T. Takashi. Jpn. J. Appl. Phys., 46 (1R), 311 (2007)
  9. T.B. Hoffman, B. Clubine, Y. Zhang, K. Snow, J.H. Edgar. J. Cryst. Growth, 393, 114 (2014)
  10. S. Liu, R. He, Z. Ye, X. Du, J. Lin, H. Jiang, B. Liu, J.H. Edgar. Cryst. Growth Des., 17 (9), 4932 (2017)
  11. T. Taniguchi, K.Watanabe. J. Cryst. Growth, 303 (2), 525 (2007)
  12. N.D. Zhigadlo. J. Cryst. Growth, 402, 308 (2014)
  13. N. Coudurier, R. Boichota, F. Merciera. Phys. Procedia, 46, 102 (2013)
  14. A.S. Segal, A.N. Vorob'ev, S.Yu. Karpov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, M.S. Ramm, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov, Yu.N. Makarov. J. Cryst Growth, 208, 431 (2000)
  15. A.A. Lebedev, P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.N. Anisimov, P.G. Baranov. Phys. Usp., 62, 754 (2019)
  16. E.N. Mokhov, A.A. Wolfson. In Single Crystals of Electronic Materials: Growth and Properties, ed. by R. Fornari (Woodhead Publishing, 2018) p. 401
  17. R. Geick, C.H. Perry, G. Rupprecht. Phys. Rev., 146, 543 (1966)
  18. T. Kuzuba, K. Era, T. Ishii, T. Sato. Solid State Commun., 25, 863 (1978)
  19. L. Schue, I. Stenger, F. Fossard, A. Loiseau, J. Barjon. 2D Mater., 4, 015028 (2017)
  20. K. Ahmed, R. Dahal, A. Weltz, J.-Q. Lu, Y. Danon, I.B. Bhat. Appl. Phys. Lett., 109, 113501 (2016)
  21. G. Kern, G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 59, 8551 (1999)
  22. L.J. Martinez, T. Pelini, V. Waselowski, J.R. Maze, B. Gil, G. Cassabois, V. Jacques. Phys. Rev. B, 94, 121405(R) (2016)
  23. M. Koperskia, D. Vaclavkova, K. Watanabe, T. Taniguchid, K. S. Novoselova, M. Potemski. PNAS, 117, 13214 (2020)
  24. H.L. Stern, Q. Gu, J. Jarman. S.E. Barker, N. Mendelson, D. Chugh, S. Schott, H.H. Tan, H. Sirringhaus, I. Aharonovich, M. Atature. Nature Commun., 13, 618 (2022)
  25. N. Mendelson, Z.-Q. Xu, T.T. Tran, M. Kianinia, J. Scott, C. Bradac, I. Aharonovich, M. Toth. ACS Nano, 13 (3), 3132 (2019)
  26. P. Auburger, A. Gali. Phys. Rev. B, 104, 075410 (2021)
  27. L. Childress, R. Walsworth, M. Lukin. Phys. Today, 67 (10), 38 (2014)
  28. H. Zheng, J. Xu, G. Z. Iwata, T. Lenz, J. Michl, B. Yavkin, K. Nakamura, H. Sumiya, T. Ohshima, J. Isoya, J. Wrachtrup, A. Wickenbrock, D. Budker. Phys. Rev. Appl., 11, 064068 (2019)
  29. S.A. Tarasenko, A.V. Poshakinskiy, D. Simin, V.A. Soltamov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, V. Dyakonov, G.V. Astakhov. Phys. Status Solidi B, 255, 1700258 (2018)
  30. S. Castelletto, A. Peruzzo, C. Bonato, B. C. Johnson, M. Radulaski, H. Ou, F. Kaiser, J. Wrachtrup. ACS Photonics, 9 (5), 1434 (2022).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme