Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 10 » Статья стр. 1002
<<<>>>
Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53963.9951
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54909.9951
Российский научный фонд, 21-19-00718
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Приоритет 2030
Национальный исследовательский университет ”Высшая школа экономики“, Программа фундаментальных исследований
Бабичев А.В. 1, Пирогов Е.В.2, Соболев М.С.2, Денисов Д.В.2, Фоминых H.А.2,3, Баранов А.И.2, Гудовских А.С.2, Мельниченко И.А.2,3, Юнин П.А.4, Неведомский В.Н.5, Токарев М.В.5, Бер Б.Я.5, Гладышев А.Г.1, Карачинский Л.Я. 1, Новиков И.И. 1, Егоров А.Ю. 2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: egorov@spbau.ru
Поступила в редакцию: 23 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2022 г.
Принята к печати: 26 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии слоев InAs в слои GaAsN. Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции, а также электролюминесценции при различных уровнях накачки. Продемонстрирована эффективная электролюминесценция вблизи 1150 нм с характерной полной шириной линии, измеренной на полувысоте ~90 мэВ. Ключевые слова: сверхрешетки, молекулярно-пучковая эпитаксия, арсенид галлия, разбавленный нитрид, GaAsN, InAs.
  1. R.M. von Wurtemberg, P. Sundgren, J. Berggren, M. Hammar, M. Ghisoni, V. Oscarsson, E. Odling, J. Malmquist. Proc. SPIE (Strasbourg, France, 2004) v. 5453. https://doi.org/10.1117/12.547272
  2. A. Malacarne, C. Neumeyr, W. Soenen, F. Falconi, C. Porzi, T. Aalto, J. Rosskopf, J. Bauwelinckm, A. Bogoni. J. Lightwave Technol., 36 (9), 1527 (2018)
  3. C. Grasse, M. Mueller, T. Gruendl, G. Boehm, E. Roenneberg, P. Wiecha, J. Rosskopf, M. Ortsiefer, R. Meyer, M.C. Amann. J. Cryst. Growth, 370, 217 (2013)
  4. P. Wolf, H. Li, A. Caliman, A. Mereuta, V. Iakovlev, A. Sirbu, E. Kapon, D. Bimberg. ACS Photonics, 4 (8), 2018 (2017)
  5. S. Blokhin, A. Babichev, A. Gladyshev, L. Karachinsky, I. Novikov, A. Blokhin, S. Rochas, D. Denisov, K. Voropaev, A. Ionov, N. Ledentsov, A. Egorov. Electron. Lett., 57 (18), 697 (2021)
  6. S.A. Blokhin, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. A. Blokhin, M.A. Bobrov, N.A. Maleev, V.V. Andryushkin, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, I.O. Zhumaeva, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov. IEEE J. Quant. Electron., 58 (2), 1 (2022).
  7. S.A. Blokhin, N. Ledentsov, jr., S.S. Rochas, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, . Chorchos, O.Yu. Makarov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.A. Blokhin, M.A. Bobrov, N.A. Maleev, V.V. Andryushkin, K.O. Voropaev, I.O. Zhumaeva, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov. In Proc. SPIE (San Francisco, CA, United States, 2022) v. 12020, p. 120200K. https://doi.org/10.1117/12.2605451
  8. S.A. Blokhin, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, A.A. Blokhin, M.A. Bobrov, N.A. Maleev, V.V. Andryushkin, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, V.M. Ustinov, V.E. Bougrov, A.Y. Egorov, L.Y. Karachinsky. Opt. Eng., 61 (9), 096109 (2022)
  9. A.V. Babichev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov. IEEE J. Quant. Electron., 53 (6), 1 (2017)
  10. Y. Ohiso, T. Sato, T. Shindo, H. Matsuzaki. Electron. Lett., 56 (2), 95 (2020)
  11. Y. Onishi, N. Saga, K. Koyama, H. Doi, T. Ishizuka, T. Yamada, K. Fujii, H. Mori, J.-I. Hashimoto, M. Shimazu, A. Yamaguchi, T. Katsuyama. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 15 (3), 838 (2009)
  12. J. Vukusic, P. Modh, A. Larsson, M. Hammar, S. Mogg, U. Christiansson, V. Oscarsson, E. Odling, J. Malmquist, M. Ghisoni, P. Gong, E. Griffiths, A. Joel. Electron. Lett., 39 (8), 662 (2003)
  13. H. Riechert, A. Ramakrishnan, G. Steinle. Semicond. Sci. Technol., 17 (8), 892 (2002)
  14. G. Steinle, H. Riechert, A. Y. Egorov. Electron. Lett., 37 (2), 93 (2001)
  15. D.W. Kisker, L.M.F. Chirovsky, R.L. Naone, J.M. Van Hove, J.M. Rossler, M. Adamcyk, N. Wasinger, J.G. Beltran, D. Galt. In Proc. SPIE (San Jose, CA, United States, 2004) v. 5364. https://doi.org/10.1117/12.539285
  16. S.R. Prakash, L.M.F. Chirovsky, R.L. Naone, D. Galt, D.W. Kisker, A.W. Jackson. In Proc. SPIE (San Jose, CA, United States, 2003) v. 4994. https://doi.org/10.1117/12.482853
  17. M. G[e]bski, D. Dontsova, N. Haghighi, K. Nunna, R. Yanka, A. Johnson, R. Pelzel, J.A. Lott. OSA Continuum, 3 (7), 1952 (2020)
  18. J.S. Harris, H. Bae, T. Sarmiento. GaInNAs(Sb) Long-Wavelength VCSELs, VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, ed. by R. Michalzik (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 2013) p. 353-377
  19. T. Sarmiento, L. Zhao, P. Moser, T. Li, Y. Huo, J.S. Harris. IEEE Phot. Technol. Lett., 31 (20), 1607 (2019)
  20. R. Fehse, S. Tomic, A.R. Adams, S.J. Sweeney, E.P. O'Reilly, A. Andreev, H. Riechert. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 8 (4), 801 (2002)
  21. L. Geelhaar, M. Galluppi, G. Jaschke, R. Averbeck, H. Riechert, T. Remmele, M. Albrecht, M. Dworzak, R. Hildebrant, A. Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 88 (1), 011903 (2006)
  22. M. Albrecht, V. Grillo, T. Remmele, H.P. Strunk, A.Yu. Egorov, Gh. Dumitras, H. Riechert, A. Kaschner, R. Heitz, A. Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 81 (15), 2719 (2002)
  23. L. Geelhaar, M. Galluppi, R. Averbeck, G. Jaschke, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 90 (7), 071913 (2007).
  24. M. Albrecht, T. Remmele, V. Grillo, H.P. Strunk, A. Kaschner, A. Hoffmann, A. Egorov, H. Riechert. In 2003 Int. Symp. on Compound Semiconductors (San Diego, CA, USA, 2003). https://doi.org/10.1109/ISCS.2003.1239907
  25. H.D. Sun, R. Macaluso, M.D. Dawson, F. Robert, A.C. Bryce, J.H. Marsh, H. Riechert. J. Appl. Phys., 94 (3), 1550 (2003)
  26. S. Govindaraju, J.M. Reifsnider, M.M. Oye, A.L. Holmes. J. Electron. Mater., 33 (8), 851 (2004)
  27. N.V. Kryzhanovskaya, A.I. Likhachev, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, V.V. Andryushkin. Laser Phys. Lett., 19 (7), 075801 (2022)
  28. V. Grillo, M. Albrecht, T. Remmele, H.P. Strunk, A.Yu. Egorov, H. Riechert. J. Appl. Phys., 90 (8), 3792 (2001)
  29. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett., 61 (5), 557 (1992)
  30. P. Offermans, P.M. Koenraad, J.H. Wolter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 83 (20), 4131 (2003)
  31. C.A. Wang, B. Schwarz, D.F. Siriani, L.J. Missaggia, M.K. Connors, T.S. Mansuripur, D.R. Calawa, D. McNulty, M. Nickerson, J.P. Donnelly, K. Creedon, F. Capasso. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 23 (6), 1 (2017)
  32. A. Lema\^itre, G. Patriarche, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3717 (2004)
  33. R. Macaluso, H.D. Sun, M.D. Dawson, F. Robert, A.C. Bryce, J.H. Marsh, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 82 (24), 4259 (2003)
  34. H.D. Sun, R. Macaluso, S. Calvez, M.D. Dawson, F. Robert, A.C. Bryce, J.H. Marsh, P. Gilet, L. Grenouillet, A. Million, K.B. Nam, J.Y. Lin, H.X. Jiang. J. Appl. Phys., 94 (12), 7581 (2003)
  35. A. Kaschner, T. Luttgert, H. Born, A. Hoffmann, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 78 (10), 1391 (2001)
  36. S. Shirakata, M. Kondow, T. Kitatani. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2087 (2002)
  37. S. Shirakata, M. Kondow, T. Kitatani. Appl. Phys. Lett., 79 (1), 54 (2001)
  38. T. Kitatani, M. Kondow, T. Tanaka. J. Cryst. Growth, 227-228, 521 (2001)
  39. S. Zhang, Z. Niu, H. Ni, D. Wu, Z. He, Z. Sun, Q. Han, R. Wu. Appl. Phys. Lett., 87 (16), 161911 (2005)
  40. E. Fred Schubert. Light-Emitting Diodes (Cambridge, England, Cambridge University Press, 2006) p. 217. https://doi.org/10.1017/CBO9780511790546
  41. G. Dumitras, H. Riechert, H. Porteanu, F. Koch. Phys. Rev. B, 66 (20), 205324 (2002)
  42. A.Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh.I. Alferov, H. Riechert. Electron. Lett., 35 (19), 1643 (1999)
  43. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, H. Riechert. J. Cryst. Growth, 278 (1-4) 224 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme