Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 10 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Исследовано влияние облучения электронами с энергией 40 кэВ на спектральную зависимость коэффициента поглощения, проводимость и фотопроводимость пленок mu c-Si : H. Обнаружено увеличение коэффициента поглощения в "дефектной области" спектра (hnu<1.2 эВ) и уменьшение фотопроводимости пленок mu c-Si : H после их облучения. Исходные параметры восстанавливаются после отжига пленок в течение 1 ч при температуре 180oC. Предположено, что наблюдаемые изменения связаны с образованием в пленках mu c-Si : H в результате облучения электронами метастабильных дефектов типа оборванных связей на границах колонн микрокристаллов. Получена обратно пропорциональная зависимость между величиной фотопроводимости и концентрацией дефектов, возникающих под действием облучения пленок mu c-Si : H электронами.
- H. Shade, J.I. Pankove. J. de Phys., C-4, Suppl. 10, 42, C4-327 (1981)
- W. Bronner, M. Mehring, R. Bruggemann. Phys. Rev. B, 65, 165212-1 (2002)
- R. Bruggemann, W. Bronner, M. Mehring. Sol. St. Commun., 119, 23 (2001)
- I. Beckers, N.H. Nickel, W. Pilz, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227, 847 (1998)
- D. Han, D. Yue, J.D. Lorentzen, J. Lin, H. Habuchi, Q. Wang, J. Appl. Phys., 87,1882 (2000)
- N. Beck, J. Meier, J. Fric, Z. Remes, A. Poruba, R. Fluckiger, J. Pohl, A. Shah, M. Vanecek. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 903 (1996)
- N. Beck, P. Torres, J. Fric, Z. Remes, A. Poruba, H.A. Stuchlicova, A. Fejfar, N. Wyrsch, M. Vanecek, J. Kocka, A. Shah. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 761 (1997)
- M. Stutzmann. In: Amorphous and microcristalline semiconductor devices, v. II: Material and device physics, ed. by J. Kanicki (Artech House Boston, London, 1991) p. 129
- D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227, 1011 (1998)
- K. Lips, P. Kanschat, D. Will, C. Lerner, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227, 1021 (1998)
- F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266, 511 (2000)
- A. Poruba, M. Vanecek, J. Meier, A. Shah. J. Non-Cryst. Sol., 299--302, 536 (2002)
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 36, 41 (2002)
- К.В. Коугия, Е.И. Теруков. ФТП, 36, 41 (2002)
- K. Tanaka. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 3 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
