Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 9 » Статья стр. 1062
<<<>>>
Термическая стабильность и трансформация молекул C60, нанесенных поверх пленки кремния на поверхность (111) иридия
Галль Н.Р.1, Рутьков Е.В.1, Тонтегоде А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
PDF версия
В сверхвысоковакуумных условиях изучена термическая стабильность и трансформация молекул C60, нанесенных поверх пленки кремния на поверхность (111) иридия в интервале температур 300-1900 K. Показано, что весь температурный интервал распадается на четыре последовательных подинтервала, для каждого из которых характерен свой доминирующий процесс: термостабильность пленок C60 (T<600 K); десорбция молекул фуллеренов из второго и последующих молекулярных слоев (800-900 K); распад этих молекул в первом, контактирующем с подложкой слое (650-850 K); графитизация углеродного слоя и область термостабильности двумерной графитовой пленки (900-1700 K); термодесорбция углерода с поверхности (T>1900 K). Характер протекающих процессов остается качественно неизменным при переходе от субмонослойных пленок Si к пленкам толщиной в 4-5 монослоев.
  1. Hang Xu, D.M. Chen, W.N. Creager. Phys. Rev. Lett., 70, 1948 (1993)
  2. Y.Z. Li, M. Chander, J.C. Partin, J.H. Weaver. Phys. Rev. B, 45, 13 837 (1992)
  3. T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuku. Surf. Sci. Lett., 321, L137 (1994)
  4. D. Chen, D. Sarid. Surf. Sci., 319, 74 (1994)
  5. P.H. Beton, A.W. Dunn, P. Moriarty. Surf. Sci., 361/362, 878 (1996)
  6. T. Hashizume, K. Motai, X.D. Wang, H. Shinohara, H.W. Peckerng, T. Sakurai. JVST A, 12, 2097 (1994)
  7. T. Chen, S. Howelles, M. Gellager, L. Yi, D. Sarid, D.L. Lichtenberger, K.W. Nebesny, C.D. Ray. JVST B, 9, 2461 (1991)
  8. D.K. Kin, Y.D. Suh, K.H. Park, S.K. Kim, S.S. Oh, Y. Kun. JVST A, 11, 1675 (1993)
  9. G.K. Wertheim. Sol. St. Commun., 88, 97 (1993)
  10. Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде, Ю.С. Грушко. Письма в ЖЭТФ, 57, 712 (1993). [JEPT Lett., 57, 724 (1993)]
  11. E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode, M.M. Usufov. Phys. Rev. Lett., 74, 758 (1995)
  12. N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode, M.M. Usufov. Mol. Mater., 7, 187 (1996)
  13. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде, М.М. Усуфов. Письма ЖТФ, 23 (23), 56 (1997)
  14. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде, М.М. Усуфов. ЖТФ, 69 (11), 117 (1999)
  15. N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode. Fullerene Sci. Technol., 9 (2), 111 (2001)
  16. N.R. Gall, S.N. Mikhailov, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode. Surf. Sci., 191, 185 (1987)
  17. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. ЖТФ, 60 (4), 125 (1990)
  18. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Поверхность, N 10, 47 (1989)
  19. Н.Р. Галль, М.С. Кобрин, С.Н. Михайлов, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Поверхность, N 9, 21 (1984)
  20. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. ФТП, 36 (9), 1084 (2002)
  21. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Письма ЖТФ, 97 (2), 55 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme