Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54139.9868 
Калыгина В.М.
1, Киселева О.С.1, Кушнарев Б.О.
1, Олейник В.Л.
1, Петрова Ю.С.
1, Цымбалов А.В.
1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Email: kalygina@ngs.ru, olya.kiseleva90@mail.ru, Kuschnaryow@mail.ru, petrovays@mail.ru, zoldmine@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2022 г.
Принята к печати: 28 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл-диэлектрик-полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. Ключевые слова: МДП-структуры, вольт-фарадные характеристики, вольт-сименсные характеристики, фототок, плотность ловушек.
- J. Bae, Ji-H.Park, D.-W.Jeon, J. Kim. APL Mater., 9, 101108 (2021)
- A. Atilgan, A. Yildiz, U. Harmanci, M.T. Gulluoglu, K. Salimi. Mater. Today Commun., 24, 101105 (2020)
- Y. Cui, S. Zhang, Q. Shi, S. Hao, A. Bian, X. Xie, Z. Liu. Phys. Scr., 96, 125844 (2021)
- S. Li, Z. Yan, Z. Liu, J. Chen, Y. Zhi, D. Guo, P. Li, Z. Wu, W. Tang. J. Mater. Chem. C, 8, 1292 (2020)
- Z. Yan, S. Li, J. Yue, X. Ji, Z. Liu, Y. Yang, P. Li, Z. Wu, Y. Guo, W. Tang. J. Mater. Chem. C, 9, 14788 (2021)
- Z. Yan, S. Li, J. Yue, X. Ji, Z. Liu, Y. Yang, P. Li, Z. Wu, Y. Guo, W. Tang. ACS Appl. Mater. \& Interfaces, 13, 57619 (2021)
- D. You, C. Xu, J. Zhao, W. Zhang, F. Qin, J. Chen, Z. Shi. J. Mater. Chem. C, 7, 3056 (2019)
- H. Lin, A. Jiang, S. Xing, L. Li, W. Cheng, J. Li, W. Miao, X. Zhou, L. Tian. Nanomaterials, 12, 910 (2022)
- B.R. Tak, M.M. Yang, Y.H. Lai, Y.H. Chu, M.A.R. Singh. Scientific Rep., 10:16098 (2020)
- В.М. Калыгина, В.В. Вишникина, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. Изв. вузов. Физика, 9, 11 (2013)
- V.M. Kalygina, A.V. Tsymbalov, A.V. Almaeva, Yu.S. Petrova. Semiconductors, 55, 341 (2021)
- B.R. Tak, M. Yang, M. Alexe, R. Singh. Crystals, 11, 1046 (2021)
- Y.K. Frodason, K.M. Johansen, L. Vines, J.B. Varley. Appl. Phys., 127, 075701 (2020). doi: 10.1063/1.5140742
- Y.J. Zhang, J. Shi, D.-C. Qi, L. Chen, H.L. Zhang. APL Mater., 8, 020906 (2020)
- В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова. Изв. вузов. Физика, N 11, 99 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
