Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Химическая нитридизация поверхности (100)GaAs: влияние на электрофизические характеристки Au--Ti/GaAs поверхностно-барьерных структур

Львова Т.В.¹, Берковиц В.Л.¹, Дунаевский М.С.¹, Лантратов В.М.¹, Макаренко И.В.¹, Улин В.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось влияние химической нитридизации поверхности подложек (100) GaAs в гидразин-сульфидных растворах перед формированием барьерных контактов на параметры поверхностно-барьерных структур Au-Ti/GaAs. Структуры, сформированные на нитридизованных подложках, обнаруживают уменьшение обратных токов и увеличение напряжения пробоя. При этом высота потенциального барьера в таких структурах равна 0.71±0.02 эВ, а коэффициент идеальности составляет 1.06±0.01. Наблюдаемый эффект улучшения электрофизических параметров структур обусловлен замещением на поверхности подложки слоя естественного окисла тонким когерентным слоем нитрида галлия.

И.В. Седова, Т.В. Львова, В.П. Улин, С.В. Сорокин, А.В. Анкудинов, В.Л. Берковиц, С.В. Иванов, П.С. Копьев. ФТП, 36, 59 (2002)
F. Cappasso, G.F. Williams. J. Electrochem. Soc., 20, 45 (1982)
Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 36, 91 (2002)
N. Braslau. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 3085 (1986)
V.L. Berkovits, V.P. Ulin, M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Perna, V. Capozzi. Appl. Phys. Lett., 80, 3739 (2002)
V.L. Berkovits, T.V. L'vova, V.P. Ulin. Vaccuum, 57, 201 (2000)
А.В. Анкудинов, М.С. Дунаевский, В.А. Марущак, А.Н. Титков, С.В. Иванов, С.В. Сорокин, Т.В. Шубина, П.С. Копьев, А. Вааг, Г. Ландвер. ФТП, 42, 1874 (2000)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
A.K. Sinha, T.E. Smith, M.H. Read, J.M. Poate. Sol. St. Electron., 19, 489 (1976)
L.C. Zhang, S.K. Cheung, C.L. Liang, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 50, 445 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель