Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.05.53430.9801 
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 29 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 19 января 2022 г.
Принята к печати: 19 января 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.
Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
- W. Wang, M.T. Winkler, O. Gunawan, T. Gokmen, T.K. Todorov, Yu. Zhu, D.B. Mitzi. Adv. Energy Mater., 4, 201301465 (2014). DOI: 10.1002/aenm
- T.K. Todorov, J. Tang, S. Bag, O. Gunawan, T. Gokmen, Yu. Zhu, D.B. Mitzi. Adv. Energ. Mater., 3, 34 (2013)
- I. Repins, C. Beall, N. Vora, C. De. Hart, D. Kuciauskas, P. Dippo, B. To, J. Mann, W.C. Hsu, A. Goodrich, R. Noufi. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 101, 154 (2012)
- G.M. Ford, Q. Guo, R. Agrawal, H.W. Hillhouse. Chem. Mater., 23, 2626 (2011)
- Choong-Il Lee, Chang-Dae Kim. J. Korean Phys. Soc., 37, 364 (2000)
- K. Ito, T. Nakazawa. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 2094 (1988)
- N. Nakayama, K. Ito. Appl. Surf. Sci., 92, 171 (1996)
- O.V. Parasyuk, L.D. Gulay, Ya.E. Romanyuk, L.V. Piskach. J. Alloys Compd., 329, 202 (2001)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- С.И. Рембеза. Методы измерения основных параметров полупроводников (Воронеж, ВГУ, 1989)
- Р. Уиллардсон. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)
- I.V. Bodnar, I.A. Victorov, V.M. Dabranski, M.A. Osipova. Phys. Status Solidi C, 6, 1130 (2009)
- И.В. Боднарь, Чан Бинь Тхан. Докл. БГУИР, 1, 57 (2018)
- R. Passler. Phys. Status Solidi B, 200, 155 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
