Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4
Боднарь И.В.1, Ящук В.А.1, Павловский В.Н.2, Яблонский Г.П.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 29 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 19 января 2022 г.
Принята к печати: 19 января 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
  1. W. Wang, M.T. Winkler, O. Gunawan, T. Gokmen, T.K. Todorov, Yu. Zhu, D.B. Mitzi. Adv. Energy Mater., 4, 201301465 (2014). DOI: 10.1002/aenm
  2. T.K. Todorov, J. Tang, S. Bag, O. Gunawan, T. Gokmen, Yu. Zhu, D.B. Mitzi. Adv. Energ. Mater., 3, 34 (2013)
  3. I. Repins, C. Beall, N. Vora, C. De. Hart, D. Kuciauskas, P. Dippo, B. To, J. Mann, W.C. Hsu, A. Goodrich, R. Noufi. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 101, 154 (2012)
  4. G.M. Ford, Q. Guo, R. Agrawal, H.W. Hillhouse. Chem. Mater., 23, 2626 (2011)
  5. Choong-Il Lee, Chang-Dae Kim. J. Korean Phys. Soc., 37, 364 (2000)
  6. K. Ito, T. Nakazawa. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 2094 (1988)
  7. N. Nakayama, K. Ito. Appl. Surf. Sci., 92, 171 (1996)
  8. O.V. Parasyuk, L.D. Gulay, Ya.E. Romanyuk, L.V. Piskach. J. Alloys Compd., 329, 202 (2001)
  9. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников  (М., Наука, 1977)
  10. С.И. Рембеза. Методы измерения основных параметров полупроводников (Воронеж, ВГУ, 1989)
  11. Р. Уиллардсон.  Оптические свойства полупроводников  (М., Мир, 1970)
  12. I.V. Bodnar, I.A. Victorov, V.M. Dabranski, M.A. Osipova.  Phys. Status Solidi C,  6, 1130 (2009)
  13. И.В. Боднарь, Чан Бинь Тхан. Докл. БГУИР, 1, 57 (2018)
  14. R. Passler. Phys. Status Solidi B, 200, 155 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.