"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состав и электронная структура скрытых наноразмерных фаз и слоев BaSi2, созданных в приповерхностной области Si
Умирзаков Б.Е.1, Нормурадов М.Т.2, Нормуродов Д.А.2, Бекпулатов И.Р.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Каршинский государственный университет, Карши, Узбекистан
Email: be.umirzakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 10 января 2022 г.
Принята к печати: 10 января 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Впервые методом имплантации ионов Ва+ с энергией E0=20-30 кэВ в приповерхностном слое Si(111) получены наноразмерные фазы и слои BaSi2. В частности, показано, что при дозе D~ 1015 см-2 формируются нанофазы с шириной запрещенной зоны Eg~0.85 эВ, а при D~1017 см-2 нанослой BaSi2 с Eg=0.67 эВ. Состав и структура наноструктуры дисилицида бария были исследованы спектроскопией поглощения света методами электронной оже-спектроскопии, а рентгеновская морфология поверхности изучалась методом растровой электронной микроскопии. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения наноразмерных фаз и слоев BaSi2 в приповерхностной области Si. С использованием метода спектроскопии поглощения света оценены ширина запрещенных зон и степень покрытия слоя нанофазами BaSi2. Показано, что при дозе D≥ 6·1016 см-2 формируется нанослой BaSi2. Ключевые слова: ионная имплантация, наноструктура, нанофаза, отжиг, дисилицид бария, оже-электроны, степень покрытия.
  1. B. Li, J. Liu. J. Appl. Phys., 105, 084905 (2009). Doi: 10.1063/1.3110183
  2. В.И. Рудаков, Ю.И. Денисенко, В.В. Наумов, С.Г. Симакин. Письма ЖТФ, 37 (3), 36 (2011)
  3. В.Л. Дубов, Д.В. Фомин. Успехи прикладной физики, 4 (6), 599 (2016)
  4. J.Sh. Chai, X.X. Zhu, J.T. Wang. J. Mater. Sci., 55, 9483 (2020). Doi: org/10.1007/s10853-020-04685-5
  5. D. Tsukahara, S. Yachi, H. Takeuchi, R. Takabe, W. Du, M. Baba, Y. Li, K. Toko, N. Usami, T. Suemasu. Appl. Phys. Lett., 108, 152101 (2016)
  6. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.L. Dubov, D.V. Fomin, K.N. Galkin, E.A. Chusovitin, S.V. Chusovitina. Jpn. J. Appl. Phys., 59, SFFA11 (2020). Doi: org/10.35848/1347-4065/ab6b76
  7. K.O. Hara, Y. Hoshi, N. Usami, Y. Shiraki, K. Nakamura, K. Toko, T. Suemasu. Thin Sol. Films, 557, 90 (2014)
  8. Z.Z. Cheng, Z. Cheng, B. Xu. Chin. Phys. Lett., 24 (9), 2649 (2007)
  9. Sh. Kishino, T. Imai, T. Iida, Y. Nakaishi, M. Shinada, Y. Takanashi, N. Hamada. J. Alloys Compd., 428, 22 (2007)
  10. Х.Х. Болтаев, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 4, 24 (2014). Doi: 10.7868/S0207352814010107
  11. Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Х.Х. Курбанов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7, 91 (2011)
  12. Д.М. Муродкобилов, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 10, 58 (2013)
  13. N.V. Alov. Meth. Phys. Res. B, 256 (1), 337 (2007)
  14. Y.S. Ergashov, B.E. Umirzakov. Techn. Phys., 63 (12), 1820 (2018). Doi: 10.1134/S1063784218120058
  15. K. Ivna, J. Piltaverlavana, R. Badovanic. Appl. Surf. Sci., 425, 416 (2017)
  16. A.S. Risbaev, J.B. Khujaniyazov, I.R. Bekpulatov, A.M. Rakhimov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (5), 994 (2017). Doi: 10.1134/S1027451017050135
  17. I.G. Donskoy. Energy Systems Res., 2 (3), 55(2019)
  18. К. Оура, Г.В. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006) с. 52
  19. F. Liao, S.L. Girshick, W.M. Mook, W.W. Gerberich, M.R. Zachariah. Appl. Phys. Lett., 86, 171913 (2005)
  20. J.A. Borders, S.T. Picraux, W. Beezhold. Appl. Phys. Lett., 18 (11), 509 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.