Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Слоистое строение пленок Zn1-xCdxSe, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений на подложках Cd0.92Zn0.08S (0001)
Мартовицкий В.П.1, Козловский В.И.1, Кузнецов П.И.2, Скасырский Я.К.1, Якущева Г.Г.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
Рентгенодифрактометрическим методом изучены структурные особенности пленок Zn1-xCdxSe, выращенных парофазной эпитаксией из металлорганических соединений на подложке Cd0.92Zn0.08S (0001). Как для кубической, так и для гексагональной фаз подобраны асимметричные рефлексы, позволяющие не только надежно определять их присутствие в пленке, но и оценивать размер областей когерентного рассеяния рентгеновских лучей и(или) колебания параметров решетки в плоскости срастания. Пленки ZnSe преимущественно состоят из сдвойникованных прослоек кубической фазы толщиной 200-250 Angstrem с небольшим содержанием гексагональной фазы. В пленках CdS, напротив, преобладает гексагональная фаза с небольшим числом прослоек кубической фазы. Толщина прослоек кубической фазы в Zn1-xCdxSe уменьшается, а концентрация гексагональной фазы растет при небольших значениях x с примерно равным развитием обеих фаз при x=0.15-0.20.
- M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 59, 1272 (1991)
- S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi. J. Cryst. Growth, 214/215, 1035 (2000)
- M.C. Tamargo, L. Zeng, W. Lin, S. Guo, Y.Y. Luo. In: Proc. 2nd Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, 1998 (Ohmsha, Tokyo, 1998) p. 703
- A. Jia, T. Furushima, M. Kobayashi, Y. Kato, M. Shimotomai, A. Yoshikawa, K. Takahashi. J. Cryst. Growth, 214/215, 1085 (2000)
- Y. Endoh, Y. Kawakami, T. Taguchi, A. Hiraki. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2199 (1988)
- M.P. Halsall, J.E. Nicholls, J.J. Davies, P.J. Wright, B. Cockayne. Surf. Sci., 228, 41 (1990)
- D.R.T. Zahn, G. Kudlek, U. Rossow, A. Hoffmann, I. Broser, W. Richter. Adv. Mater. Opt. Electron., 3, 11 (1994)
- M. Hetterich, S. Petillon, W. Petri, A. Dinger, M. Grun, C. Klingshirn. J. Cryst. Growth, 159, 81 (1996)
- I.V. Bradley, J.P. Creasey, K.P. O'Donnell. J. Cryst. Growth, 184/185, 728 (1998)
- H. Umeya, K. Kitamura, A. Jia, M. Shimotomai, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yashikawa, K. Takahashi. J. Cryst. Growth, 214/215, 192 (2000)
- N. Matsumura, J. Ueda, J. Saraie. Jap. J. Appl. Phys., 39, L1026 (2000)
- B.V. Novikov, N.R. Grigorieva, R.V. Grigoriev, B.A. Kazenkov, G. Wagner, R. Schwabe, J. Lenzner. Phys. St. Sol. (b), 229, 69 (2002)
- W. Lin, M.C. Tamargo, J. Steiner, H.-Yi. Wei, W. Sarney, L. Salamanca-Riba, B.J. Fitzpatrick. J. Cryst. Growth, 212, 83 (2000)
- W. Lin, M.C. Tamargo, H.Y. Wei, W. Sarney, L. Salamanca-Riba, B.J. Fitzpatrick. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1711 (2000)
- V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky, Ya.K. Skasyrsky, Yu.G. Sadofyev, A.G. Turyansky. Phys. St. Sol. (b), 229, 63 (2002)
- В.И. Козловский, Я.К. Скасырский, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Г.Г. Якущева. Кр. сообщ. по физики ФИАН, N 1, 29 ((2002)
- В.Н. Уласюк. Квантоскопы (М., Радио и связь, 1988)
- А.А. Давыдов, В.Н. Ермолов, С.В. Неустроев, Л.П. Павлова. Неорг. матер., 28, 42 (1992)
- Н.Р. Григорьева, Р.В. Григорьев, Е.П. Денисов, Б.А. Казеннов, Б.В. Новиков, Д.Л. Федоров. ФТТ, 42, 1570 (2000)
- Е.П. Денисов, А.Г. Арешкин, Д.Л. Федоров, С.Г. Конников. ФТТ, 39, 49 (1997)
- Акустические кристаллы. Справочник, под ред. М.П. Шаскольской (М., Наука, 1982)
- Н.В. Белов. Структура ионных кристаллов и металлических фаз (М., Изд-во АН СССР, 1947)
- B.R. Bennet, J. Del Alamo. Appl. Phys. Lett., 58, 2979 (1991)
- R.S. Goldman, H.H. Wieder, K.L. Kavanagh. Appl. Phys. Lett., 67, 344 (1995)
- X.B. Zhang, S.K. Hark. J. Cryst. Growth, 234, 373 (2002)
- С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Б.А. Скаков. Рентгенографический и электронно-оптический анализ (М., Металлургия, 1970)
- A.S. Nasibov, P.V. Shapkin, Yu.V. Korostelin, J.A. Vlasov, L.S. Maslov, D.L. Fedorov. Sol. St. Commun., 78, 521 (1991)
- F. Firszt, A. Cichos, P. Diuzewsld, T.J. Faike, M. Hietschold, J. Lenzner, S. Legowsld, H. Meczynska, W. Paszkowicz. Sol. St. Commun., 108, 367 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
