Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и свойства двухфазных слоев Cd_xPb_1-xS/CdS, полученных химическим осаждением из этилендиамин-цитратной системы

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52196.9783

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.04.53234.9783

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-48-660041р_а

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Н687.42Б.223/20

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, «Поток» , АААА-А18-118020190112-8

Селянина А.Д.

¹, Маскаева Л.Н.

^1,2, Воронин В.И.

³, Селянин И.О.⁴, Анохина И.А.⁵, Марков В.Ф.^1,2

¹Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

²Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия Ural Institute of State Fire Service of EMERCOM of Russia, Yekaterinburg, Russia

Ural Institute of State Fire Service of EMERCOM of Russia, Yekaterinburg, Russia

³Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

⁴Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

⁵Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия Institute of High-Temperature Electrochemistry, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Institute of High-Temperature Electrochemistry, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Email: n-kutyavina@mail.ru

Поступила в редакцию: 8 декабря 2021 г.

В окончательной редакции: 14 декабря 2021 г.

Принята к печати: 14 декабря 2021 г.

Выставление онлайн: 27 января 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Химическим осаждением получены поликристаллические пленки твердых растворов замещения Cd_xPb_1-xS (0≤ x≤ 0.05) с кубической структурой B1 (пространственная группа Fm3m), содержащие аморфный сульфид кадмия, а при достижении некоторой критической концентрации соли кадмия в реакторе две кристаллические фазы: твердый раствор замещения и кубический CdS со структурой B3 (пространственная группа F43m). Растровой электронной микроскопией установлены морфологические особенности, связанные с вторичным зарождением и образованием фазы сульфида кадмия, а полнопрофильным анализом рентгенограмм рассчитаны структурные характеристики пленок. Выявлена корреляция вольтовой и токовой фоточувствительности пленок Cd_xPb_1-xS/CdS с их фазовым и элементным составом. Высказано предположение о роли индивидуальной фазы CdS в механизме фотопроводимости в пленках твердых растворов Cd_xPb_1-xS. Ключевые слова: гидрохимическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы Cd_xPb_1-xS, сульфид кадмия, фоточувствительность, вольт-амперные характеристики.

Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, М.Ю. Порхачев, О.А. Мокроусова. Пожаровзрывобезопасность, 24 (9), 67 (2015)
E. Pentia, V. Draghici, G. Sarau, B. Mereu, L. Pintilie, F. Sava, M. Popescu. J. Electrochem. Soc., 151 (11), G729 (2004)
A. Ounissi, N. Ouddai, S. Achour. EPJ. Appl. Phys., 37 (3), 241 (2007)
B. Touati, A. Gassoumi, C. Guasch, N.K. Turki. Mater. Sci. Semicond. Proc., 67, 20 (2017)
G.H.T. Au, W.Y. Shih, S.-J. Tseng, W.-H. Shih. Nanotech., 23, 275601 (2012)
G.-L. Tan, L. Liu, W. Wgu. AIP Advances, 4 (6), 067107 (2014).
P.L. Nichols, Z. Liu, L. Yin, S. Turkdogan, F. Fan, C.Z. Ning. Nano Lett., 15 (2), 909 (2015)
E.M. Nasir, I.S. Naji. Aust. J. Basic \& Appl. Sci., 9 (20), 364 (2015)
C. Rajashree, A.R. Balu, V.S. Nagarethinam. Surf. Eng., 31 (4), 316 (2015)
M. Kamruzzaman, R. Dutta, J. Podder. Semiconductors, 46 (7), 957 (2012)
A.R. Patil. JETIR, 6 (3), 570 (2019)
L.N. Maskaeva, E.V. Mostovshchikova, I.V. Vaganova, V.F. Markov, V.I. Voronin, A.D. Kutyavina, I.N. Miroshnikova, E.G. Vovkotrub. Thin Sol. Films, 718, 138468 (2021)
E. Rabinovich, E. Wachtel, G. Hodes. Thin Sol. Films, 517 (2), 737 (2008)
M. Barote, A. Yadav, E. Masumdar. Chalcogenide Lett., 8 (2), 129 (2011)
Л.Н. Маскаева, А.Д. Кутявина, В.Ф. Марков, И.В. Ваганова, В.И. Воронин. ЖОХ, 88 (2), 319 (2018)
M.A. Barote, S.S. Kamble, L.P. Deshmukh, E.U. Masumdar. Ceram. Int., 39, 1463 (2013).
В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование, эксперимент (Екатеринбург, УрО РАН, 2006)
V. Rakovics. MRS Proceedings, 900E, (2005)
K.E. Suryavanshi, R.B. Dhake, A.M. Patil, M.R. Sonawane. Optik, 218, 165008 (2020)
Н.А. Форостяная, Л.Н. Маскаева, А.Д. Кутявина, М.А. Пономарева, А.А. Рожина, П.О. Михневич, В.Ф. Марков. Бутлеровские сообщения, 46 (5), 80 (2016)
H.M. Rietveld. J. Appl. Crystallogr., 2 (2), 65 (1969)
D.L. Bush, J.E. Post. Rev. Miner., 20, 369 (1990)
J. Rodrigues-Carvajal. Physica B, 192 (1-2), 55 (1993)
Л.Т. Бугаенко, С.М. Рябых, А.Л. Бугаенко. Вестн. МГУ. Сер. 2. Химия, 49 (6), 363 (2008)
M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl. J. Phys. Chem. Solids, 63, 833 (2002)
A.D. Kutyavina, L.N. Maskaeva, V.I. Voronin, I.А. Anokhina, V.F. Markov. CTA, 8 (2), 20218210 (2021)
J.A. Corll. J. Appl. Phys., 35 (10), 3032 (1964)
K. Susa, T. Kobayashi, S. Taniguchi. Solid State Chem., 33, 197 (1980)
А.В. Чичагов, Л.В. Сипавина. Параметры ячеек твердых растворов (М., Наука, 1982)
L. Vegard. Zeitschrift Phys., 5, 17 (1921)
A.R. Denton, N.W. Ashcroft. Phys. Rev. A, 43, 3161 (1991)
R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel. Cryst. Res. Technol., 39 (12), 1115 (2004)
Л.Е. Шелимова, В.Н. Томашик В.И. Грицыв. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении ( системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb) (М., Наука, 1991)
А.С. Курлов, А.И. Гусев. Физика и химия стекла, 33 (3), 383 (2007)
Л.Н. Маскаева, И.В. Ваганова, В.Ф. Марков, А.Е. Бездетнова, А.Д. Селянина, В.И. Воронин, И.О. Селянин. ФТП, 55 (12), 1186 (2021)
Х.М. Сулаймонов, Х.Т. Йулдашев, О.Р. Нурматов, Т.И. Рахмонов, Х.Э. Мухаммадякубов. Изв. Ошcкого технологического ун-та, 3, 180 (2019)
Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 20 (1), 59 (1986)
R.Y. Petrus, H.A. Ilchuk, A.I. Kashuba, I.V. Semkiv, E.O. Zmiiovska. JAS, 126 (3), 220 (2019).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель