Проведены исследования по атомно-слоевому осаждению слоев GaP на подложки Si с различной ориентацией и с различной предварительной обработкой поверхности. Осаждение GaP проводилось методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения c использованием in situ обработки в плазме аргона. Показано, что на начальном этапе роста слоев GaP на Si-подложках, точно ориентированных (100) и с разориентацией, происходит двумерный рост как после химической, так и плазменной обработки поверхности. При росте на подложках (111) после плазменной обработки поверхности наблюдается переход в трехмерный рост, при котором размер островков достигает 30-40 нм. Наименьшая среднеквадратичная шероховатость поверхности растущих слоев GaP (<0.1 нм) была достигнута для подложек (100) с разориентацией 4^o. Слои GaP, выращенные на точно ориентированных (100) подложках, обладали шероховатостью ~0.1 нм, а на подложках с ориентацией (111) - 0.12 нм. Было обнаружено, что обработка поверхности Si-подложек с ориентацией (100) в водородной плазме приводит к незначительному увеличению шероховатости поверхности растущих слоев GaP (0.12-0.14 нм), что связывается с эффектом неоднородного травления кремния в водородной плазме. При обработке поверхности (100) кремния в плазме аргона шероховатость поверхности существенно не меняется по сравнению с химической обработкой поверхности. На поверхности подложек с предварительным осаждением эпитаксиального слоя Si толщиной 4 нм морфология слоев GaP аналогична ситуации с применением водородной плазмы. Ключевые слова: плазмохимическое осаждение, атомно-слоевоe осаждение, кремний, фосфид галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.