Исследованы электрические характеристики тонких пленок, сформированных из наночастиц Si (nc-Si) с различной степенью легирования. Для исключения влияния ионной проводимости токовые параметры пленок регистрировались в сверхвысоком вакууме (P~3-5·10^-9 Tорр) с предварительным высокотемпературным (950^oC) отжигом. Анализ температурных зависимостей проводимости пленок nc-Si показал, что в пленках, сформированных из сильно легированных наночастиц (концентрация свободных электронов n_e больше 10¹⁹ см^-3), проводимость определяется прыжками с переменной длиной (variable range hopping conductionVRH). При температурах >300 K в этих образцах преобладает VRH Мотта, a при меньших температурах - VRH Эфроса-Шкловского. В пленках со средним уровнем легирования наночастиц (n_e<10¹⁹ см^-3) транспорт в пленках определяется совместным действием проводимостей Мотта, Эфроса-Шкловского и термически активированной проводимости. При этом термически активированная проводимость преобладает при температурах >560^oC. В пленках nc-Si из нелегированных наночастиц транспортные параметры определяются термически активированной проводимостью и VRH Мотта. VRH Эфроса-Шкловского в таких пленках не наблюдается. Из анализа параметров, соответствующих проводимостям Мотта и Эфроса-Шкловского, найдены длины локализации волновых функций, плотности состояний на уровне Ферми (G(E_F) ) и средние длины прыжков. Средние длины прыжков в пленках nc-Si из наночастиц, подвергнутых предварительному травлению в HF, находятся в диапазоне 56-86 нм, что указывает на то, что прыжки в таких пленках происходят при посредстве промежуточных наночастиц. Ключевые слова: легирование наночастиц Si, проводимость тонких пленок из наночастиц Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.