Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Межзонный двухфотонный линейно-циркулярный дихроизм в полупроводниках в приближении Кейна
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.01.53018.9719 
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан 
Email: r_rasulov51@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 23 августа 2021 г.
Принята к печати: 9 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
Классифицированы межзонные двухфотонные оптические переходы и получены выражнения для матричных элементов в узкозонном полупроводнике в зависимости от зонных параметров, степени поляризации и частоты света. Показано, что основной вклад в двухфотонный линейно-циркулярный дихроизм в узкозонных полупроводниках вносят оптические переходы, протекающие из подзоны легких дырок в зону проводимости. Проанализированы зависимости парциальных коэффициентов межзонного двухфотонного поглощения света, отличающиеся друг от друга типами оптических переходов, в зависимости от степени поляризации света, и проведен количественный анализ коэффициента линейно-циркулярного дихроизма двухфотонного поглощения света. Получены выражения для спектральной зависимости коэффициента межзонного двухфотонного поглощения света в узкозонных полупроводниках в модели Кейна. Ключевые слова: начальное, виртуальное и конечное состояния, межзонное двухфотонное поглощения света, приближение Кейна.
- R. Loudon. Proc. Phys. Soc., 80 (4), 952 (1962)
- R. Braunstein. Phys. Rev., 125 (2), 475 (1962)
- R. Braunstein, N. Ockman. Phys. Rev., 134, 499 (1964)
- Е.Л. Ивченко. ФТТ, 14 (12), 3489 (1972)
- Е.Л. Ивченко, Е.Ю. Перлин. ФТТ, 15 (9), 2781 (1973)
- Е.В. Берегулин, Д.П. Дворников, Е.Л. Ивченко, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 9 (5), 876 (1975)
- С.Б. Арифжанов, Е.Л. Ивченко. ФТТ, 17, 81 (1975)
- С.Д. Ганичев, E.I. Ивченко, С.А. Емельянов, Е.Ю. Перлин, Я.В. Терентьев, А.В. Федоров, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 91 (11), 1233 (1986)
- С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярошецкий, Б.Я. Авербух. ФТТ, 35 (1), 198 (1993)
- Р.Я. Расулов. Дис. докт. физ.-мат. наук (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1993)
- С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, Е.Л. Ивченко, Е.Ю. Перлин, Я.В. Терентьев, А.В. Федоров, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 91, 729 (1986)
- Р.Я. Расулов, Г.Х. Хошимов, Х. Холитдинов. ФТП, 30 (2), 274 (1996)
- Р.Я. Расулов. ФТП, 22 (11), 2077 (1988)
- Р.Я. Расулов. ФТТ, 35 (6), 1674 (1993)
- В.Р. Расулов, Р.Я. Расулов, Р.Р. Султонов, Б.Б. Ахмедов. ФТП, 54 (11), 1181 (2020)
- V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Phys. Solid State, 59 (3), 463 (2017)
- V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Russ. Phys. J., 58 (12), 1681 (2015)
- N.V. Leppenen, E.L. Ivchenko, L.E. Golub. Phys. Status Solidi B, 256, 1900305 (2019). https://doi.org/10.1002/pssb.201900305/
- Д.А. Паршин, А.Р. Шабаев. ЖЭТФ, 92 (4), 1471 (1987)
- J.-Y. You, B. Gu, S. Maekawa, G. Su. Phys. Rev. B, 102, 094432 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.094432
- R. Mohammad, Senay Katirci oglu, Musa El-Hasan. J. Mater. Sci., 43, 2935 (2008). DOI 10.1007/s10853-007-1794-4
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Медиа, 2012)
- Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников (Ташкент, Фан, 1989)
- I. Vurgaftman, J.R.M. Meyer, J.R. Ram-Moha. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
