Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование фазового состава интерфейсного слоя, полученного при горячем прессовании Cr и Si
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53848.03 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2021 г.
Принята к печати: 28 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
Исследована возможность синтеза слоев среднетемпературного термоэлектрика CrSi2 методом горячего прессования исходных компонентов (Cr и Si). Методом рентгеновской дифрактометрии исследован фазовый состав образцов, полученных горячим прессованием Cr и Si до и после отжига в области границы их соприкосновения. Показано, что при определенных условиях на границе раздела Cr и Si возможен низкотемпературный синтез слоя CrSi2 толщиной от 50 до 300 мкм. Синтез происходит при температуре, значительно ниже приведенной в диаграмме состояния, что открывает новые технологические возможности для получения соединения CrSi2. Ключевые слова: термоэлектрики, дисилицид хрома, граница раздела фаз, рентгеновский фазовый анализ.
- A.T. Burkov, Y.I. Ivanov. Silicide Thermoelectrics. In Advanced Thermoelectric Materials, C.R. Park (ed.), 165 (2019)
- P.V. Gel'd, F.A. Sidorenko. Silicides of Transition Metals of the Fourth Period (M., Metallurgiya, 1971) p. 90
- A.B. Gokhale, G.J. Abbaschian. JPE, 8, 474 (1987)
- H. Okamoto. JPE, 22, 593 (2001)
- B. Boren. Archive of Chemistry, Mineralogy and Geology, A, 11 (1933)
- C.H. Dauben, D.H. Templeton, C.E. Myers. J. Phys. Chem., 60 (4), 443 (1956)
- K. Tanaka, K. Nawata, M. Koiwa, M. Yamaguchi, H. Inui. MRS Online Proceedings Library, 646, 245 (2000)
- Ф.Ю. Соломкин, Е.И. Суворова, В.К. Зайцев, С.В. Новиков, А.Т. Бурков, А.Ю. Самунин, Г.Н. Исаченко. ЖТФ, 81 (2), 147 (2011)
- Ф.Ю. Соломкин, В.К. Зайцев, С.В. Новиков, Ю.А. Самунин, Г.Н. Исаченко. ЖТФ, 83 (2), 141 (2013)
- Ф.Ю. Соломкин, В.К. Зайцев, Н.Ф. Картенко, А.С. Колосова, А.С. Орехов, А.Ю. Самунин, Г.Н. Исаченко. ЖТФ, 80 (1), 152 (2010)
- Ф.Ю. Соломкин, В.К. Зайцев, Н.Ф. Картенко, А.С. Колосова, А.Т. Бурков, О.Н. Урюпин, А.А. Шабалдин. ЖТФ, 80 (5), 157 (2010)
- M. Fedorov, V. Zaitsev. Thermoelectrics Handbook Macro to Nano, ed. by D. Rowe (CRC Press, 2006) 31-1
- A. Burkov, H. Vinzelberg, J. Schumann, T. Nakama, K. Yagasaki. J. Appl. Phys., 95 (12), 7903 (2004)
- S.V. Novikov, A.T. Burkov, J. Schumann. J. Electronic Mater., 43 (6), 2420 (2014)
- S.V. Novikov, A.T. Burkov, J. Schumann. J. Alloys Compd., 557, 239 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
