"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
Российский научный фонд, 20-79-10285
Бабичев А.В1, Колодезный Е.С1, Гладышев А.Г1, Денисов Д.В2, Вознюк Г.В3, Митрофанов М.И3, Михайлов Д.А3, Чистяков Д.В3, Курицын Д.И4, Дюделев В.В3, Слипченко С.О3, Лютецкий А.В3, Евтихиев В.П3, Карачинский Л.Я1,3,5, Новиков И.И1,3,5, Морозов С.В4, Соколовский Г.С3, Пихтин Н.А3, Егоров А.Ю1
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 27 апреля 2021 г.
Принята к печати: 27 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Представлены результаты исследований кольцевых квантово-каскадных лазеров с выводом излучения через текстурированный слой, сформированный в слоях верхней обкладки волновода методом сверхвысоковакуумного ионно-лучевого травления. Исследование распределения интенсивности излучения в зоне дальнего поля показывает, что сформированные окна, содержащие текстурированный слой, позволили осуществить направленный поверхностный вывод излучения из кольцевого лазера. Вывод излучения осуществляется в диапазоне углов ~(63-75)o, отсчитанных от нормали к плоскости резонатора. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия, кольцевой резонатор, текстурированный слой.
  1. R. Szedlak, T. Hisch, B. Schwarz, M. Holzbauer, D. MacFarland, T. Zederbauer, H. Detz, A.M. Andrews, W. Schrenk, S. Rotter, G. Strasser. Sci. Rep., 8 (1), 7998 (2018)
  2. B. Hinkov, J. Hayden, R. Szedlak, P. Martin-Mateos, B. Jerez, P. Acedo, G. Strasser, B. Lendl. Opt. Express, 27 (10), 14716 (2019)
  3. H. Knotig, B. Hinkov, R. Weih, S. Hofling, J. Koeth, G. Strasser. Appl. Phys. Lett., 116 (13), 131101 (2020)
  4. D.H. Wu, M. Razeghi. APL Mater., 5 (3), 035505 (2017)
  5. Y. Bai, S. Tsao, N. Bandyopadhyay, S. Slivken, Q.Y. Lu, D. Caffey, M. Pushkarsky, T. Day, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 99 (26), 261104 (2011)
  6. E. Mujagic, L.K. Hoffmann, S. Schartner, M. Nobile, H. Detz, D. Andrijasevic, M. Austerer, W. Schrenk, A.M. Andrews, P. Klang, M.P. Semtisiv, W.T. Masselink, G. Strasser. Proc. SPIE, 7230, 723015 (2009). doi: 10.1117/12.808466
  7. A.O. Dirisu, G. Silva, Z. Liu, C.F. Gmachl, F.J. Towner, J. Bruno, D.L. Sivco. IEEE Photon. Technol. Lett., 19 (4), 221 (2007)
  8. B. Paivanranta, T. Saastamoinen, M. Kuittinen. Nanotechnology, 20 (37), 375301 (2009)
  9. A. Deinega, I. Valuev, B. Potapkin, Y. Lozovik. J. Opt. Soc. Am. A, 28 (5), 770 (2011)
  10. J.A. Dobrowolski, D. Poitras, P. Ma, H. Vakil, M. Acree. Appl. Optics, 38 (16), 3075 (2002)
  11. A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bougrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Bousseksou, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 52 (8), 1082 (2018)
  12. A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 45 (7), 735 (2019)
  13. A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.C. Kolodeznyi, A.V. Filimonov, A.A. Usikova, V.N. Nevedomsky, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 52 (6), 745 (2018)
  14. A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, V.V. Dudelev, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Techn. Phys. Lett., 45 (4), 398 (2019)
  15. V.V. Dudelev, D.A. Mikhailov, A.V. Babichev, A.D. Andreev, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, Yu.K. Bobretsova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kuchinskii, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii. Quant. Electron., 50 (2), 141 (2020)
  16. A.V. Babichev, D.A. Pashnev, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, G.V. Voznyuk, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, M.I. Mitrofanov, V.P. Evtikhiev, D.A. Firsov, L.E. Vorob'ev, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Techn. Phys. Lett., 46 (4), 312 (2020)
  17. A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, G.V. Voznyuk, D.I. Kuritsyn, M.I. Mitrofanov, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, V.P. Evtikhiev, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, N.A. Pikhtin, S.V. Morozov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 54 (14), 1816 (2020)
  18. Y. Bai, S. Slivken, S. Kuboya, S.R. Darvish, M. Razeghi. Nature Photonics, 4 (2), 99 (2010)
  19. A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, L. Boulley, A. Bousseksou, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Opt. Spectrosc., 127 (2), 279 (2019)
  20. A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, G.V. Voznyuk, M.I. Mitrofanov, N.Yu. Kharin, V.Yu. Panevin, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, V.P. Evtikhiev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 55 (7), 822 (2021). А.В. Бабичев, Е.С. Колодезный, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, Г.В. Вознюк, М.И. Митрофанов, Н.Ю. Харин, В.Ю. Паневин, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, В.П. Евтихиев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Н.А. Пихтин, А.Ю. Егоров. ФТП, 55 (7), 602 (2021).
  21. A.V. Babichev, D.A. Pashnev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, V.V. Dudelev, G.S. Sokolovskii, D.A. Firsov, L.E. Vorob'ev, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Opt. Spectrosc., 128 (8), 1187 (2020)
  22. J. Faist, C. Gmachl, M. Striccoli, C. Sirtori, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 69 (17), 2456 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.