"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, FSRM, 2020-0008
Лазаренко А.А.1, Шубина К.Ю.1, Никитина Е.В.1,2, Пирогов Е.В.1, Мизеров А.М.1, Соболев М.С.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexashpigun@yandex.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2021 г.
Принята к печати: 21 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Исследуется влияние быстрого термического отжига тройных твердых растворов GaAs1-xNx/GaAs на распределение атомов азота в кристаллической решетке. Образцы исследуются методами фотолюминесценции и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Из-за несоответствия размеров и электроотрицательности атомов азота и мышьяка, азот встраивается неравномерно в кристаллическую решетку GaAs. Показаны варианты расположения атомов азота в кристаллической решетке GaAs до и после быстрого термического отжига. Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитксия, арсенид галлия, азот.
  1. J.M. Luthera, S.W. Johnston, S.R. Kurtz, R.K. Ahrenkiel. Appl. Phys. Lett., 88, 263502 (2006)
  2. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, N. Tansu, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett.,  83, 2742 (2003)
  3. V.K. Kalevich, M.M. Afanasiev, A.Yu. Shiryaev, A.Yu. Egorov. Phys. Rev. B, 85, 035205 (2012)
  4. P.R.C. Kent, Alex Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115208 (2001)
  5. Markus Weyers, Michio Sato, Hiroaki Ando. Jpn. J. Appl. Phys.,  31,  L853 (1992)
  6. S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishin, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 72, 1857 (1998)
  7. H.A. McKay, R.M. Feenstra, T. Schmidtling, U.W. Pohl. Appl. Phys. Lett., 78, 82 (2001)
  8. Z. Pan, L.H. Li, W. Zhang, Y.W. Lin,  R.H. Wu. Appl. Phys. Lett.,  77, 1280 (2000)
  9. A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, M.S. Sobolev, E.V. Pirogov, D.V. Denisov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 49, 479 (2015)
  10. S.C, S.-Y. Huang, T.R. Yang. Phys. Rev. B, 64, 113312 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.