"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Химически осажденные пленки сульфида свинца, легированные кобальтом
Маскаева Л.Н.1,2, Мостовщикова Е.В.3, Марков В.Ф.1,2, Воронин В.И.3, Поздин А.В.1, Селянин И.О.4, Михайлова А.И.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: larisamaskaeva@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2021 г.
Принята к печати: 16 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

В настоящей работе, являющейся продолжением исследований по легированию химически осажденных слоев PbS(I), обсуждается влияние ионов кобальта на их морфологические, структурные, оптические и фотоэлектрические свойства. Элементным энергодисперсионным анализом показано, что кобальт обнаруживается в пленках при концентрации его хлорида в реакционной смеси ≥0.04 моль/л. Полученные пленки PbS(I, Co) сохраняют кубическую B1 структуру (пр. гр. Fm3m). Установлена тенденция повышения ширины запрещенной зоны пленок PbS(I, Co) от 0.57 до 0.75 эВ с ростом в них содержания наночастиц с 1 до ~8% при 1.5-часовом осаждении и от 0.57 до 0.68 эВ - с 13 до ~28% при 3-часовом процессе. На концентрационной зависимости вольтовой чувствительности пленок PbS(I, Co), осажденных в течение 1.5 ч, наблюдаются два максимума, соответствующие 1 и 4% содержанию в них наночастиц. При трехчасовом процессе синтеза отмечено резкое снижение фотоответа с увеличением содержания частиц нанодиапазона до ~13-28% в слоях PbS(I, Co). Показано, что плотность фототока снижается с увеличением содержания наночастиц в пленках в ряду PbS(Сo) -> PbS->PbS(I, Сo)->PbS(I). Ключевые слова: сульфид свинца, химическое осаждение, легирование кобальтом, морфология пленок, структурные свойства, ширина запрещенной зоны, вольтовая и токовая фоточувствительность.
  1. S. Kouissa, A. Djemel, M.S. Aida, M A. Djouadi. Sensors \& Transducers, 193, 106 (2015)
  2. V.F. Markov, L.N. Maskaeva. J. Anal. Chem., 56 (8), 754 (2001)
  3. I.V. Zarubin, V.F. Markov, L.N. Maskaeva, N.V. Zarubina, M.V. Kuznetsov. J. Anal. Chem., 72 (3), 266 (2017)
  4. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, А.В. Шнайдер, Р.Х. Сарыева. Техносферная безопасность, 1 (6), 32 (2015)
  5. A.N. Chattarki, S.S. Kamble, L.P. Deshmukh. Mater. Lett., 67 (1), 39 (2012)
  6. L.F. Koao, F.B. Dejene, H.C. Swart. Int. J. Electrochem. Sci., 9, 1747 (2014)
  7. K.C. Preetha, K. Deepa, A.C. Dhanya, T.L. Remadevi. IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng., 73 (1), 012086 (2015)
  8. B.A. Ezekoye, T.M. Emeakaroha, V.A. Ezekoye, K.O. Ighodalo. Int. J. Phys. Sci., 10 (13), 385 (2015)
  9. M. Portillo, X. Chavez, H. Mathew. Superlatt. Microstr., 109, 423 (2017)
  10. R. Li, W. Li, M. Liu, Q. He, Y. Wang, Q. Zhan, T. Wang. ES Mater. Manuf., 4, 38 (2019)
  11. E. Yucel, Y. Yucel. Optik --- Int. J. for Light and Electron Optics, 142, 82 (2017)
  12. E. Yucel, Y. Yucel. Ceramics Int., 43 (1), 407 (2017)
  13. Reshmi Radhakrishnana, Hiba Rahmana, S. Dhanyaa, R. Geethua, Nafsia Karima, K. Faseelaa, P.V. Sreenivasanb, B. Pradeepc, Rachel Reena Philipa. AIP Conf. Proc., 1391, 755 (2011)
  14. O. Portillo Moreno, R. Gutierrez Perez, M. Chavez Portillo, L. Chaltel Lima, G. Hernandez Tellez, E. Rubio Rosas. Optic, 127 (22), 10273 (2016)
  15. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Г.А. Китаев. ЖПХ, 73, 1256 (2000)
  16. В.Ф. Марков, А.В. Шнайдер, М.П. Миронов, В.Ф. Дьяков, Л.Н. Маскаева. Перспективные матер., 3, 28 (2008)
  17. Т.А. Алексеева, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Н.А. Третьякова, В.И. Воронин. Бутлеровские сообщения, 17 (6), 13 (2009)
  18. Л.Н. Маскаева, Е.В. Мостовщикова, В.Ф. Марков, В.И. Воронин. ФТП, 53 (2), 174 (2019)
  19. Л.Н. Маскаева, Е.В. Мостовщикова, В.И. Воронин, Е.Э. Лекомцева, П.С. Богатова, В.Ф. Марков. ФТП, 54 (10), 1041 (2020)
  20. Л.Н. Маскаева, Н.А. Форостяная, В.Ф. Марков, А.С. Еремина, К.А. Карпов. Бутлеровские сообщения, 51 (7), 115 (2017).
  21. Л.Н. Маскаева, И.В. Ваганова, Е.В. Мостовщикова, В.И. Воронин, Н.А. Чуфарова, А.Д. Кутявина. ЖФХ, 94 (12), 1783 (2020)
  22. E.V. Mostovshchikova, V.I. Voronin, L.N. Maskaeva, I.V. Vaganova, N.A. Chufarova, V.P. Glazkov. J. Anal. Chem., 852, 15693 (2021)
  23. H.M. Rietveld. J. Appl. Crystallogr., 2 (2), 65 (1969)
  24. D.L. Bush, J.E. Post. Rev. Mineralogy, 20, 369 (1990)
  25. J. Rodriges-Carvajal. Physica B, 192, 55 (1993)
  26. G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Metall, 1, 22 (1953)
  27. Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 17 (5), 399 (1988)
  28. В.И. Петров, В.А. Прохоров, А.Э. Юнович. ФТП, 18 (3), 484 (1984)
  29. M. Ahmed, M. Rabia, M. Shaban. RSC Adv., 10, 14458 (2020)
  30. Arzu Ekinci, Omer Sahin, Sabit Horoz. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 31, 1210 (2020).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.