"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO2 разной толщины
Умирзаков Б.Е. 1,2, Донаев С.Б. 1, Ёркулов Р.М.2, Ашуров Р.Х.2, Ротштейн В.М.2
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
2Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: be.umirzakov@gmail.com, sardor.donaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2021 г.
Принята к печати: 6 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Изучены состав, морфология, электронная структура нанопленки SiO2 разной толщины, созданной термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30-40 Angstrem пленка имеет островковый характер. При d≥60 Angstrem формируется однородная сплошная пленка SiO2, стехиометрическая шероховатость поверхности которой не превышает 1.5-2 нм. Независимо от толщины пленок SiO2 заметная взаимодиффузия атомов на границе SiO2-Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степень покрытия поверхности, энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO2/Si(111) в пределах от 20 до 120 Angstrem. Ключевые слова: термическое окисление, нанофазы, нанопленки, плазменное колебание, шероховатость поверхности, оже-пики, рамановские спектры, оптически-фононная мода, островковый рост.
  1. K. Hoppe, W.R. Fahrner, D. Fink, S. Dhamodoran, A. Petrov, A. Chandra, A. Saad, F. Faupel, V.S.K. Chakravadhanula, V. Zaporotchenko. Nucl. Instr. Meth. B, 266, 1642 (2008)
  2. Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, С.В. Булярский, А.Н. Белов, А.А. Раскин. ФТТ, 55 (3), 562 (2013)
  3. Y. Kanemitsu, T. Kushida. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3550 (2000)
  4. Z.A. Isakhanov, Z.E. Mukhtarov, B.E. Umirzakov, M.K. Ruzibaeva. Techn. Phys., 56 (4), 546 (2011)
  5. B.E.Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, E.U. Boltaev, A.A. Dzhurakhalov. Mater. Sci. Engin. B: Solid-State Mater. Adv. Technol., 101 (1-3), 124 (2003)
  6. B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, D.M. Muradkabilov, K.K. Boltaev. Techn. Physics, 58 (6), 841 (2013)
  7. B.E. Umirzakov, S.B. Donaev. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (4), 746 (2017)
  8. A.S. Rysbaev, Z.B. Khuzhaniyazov, A.M. Rakhimov, I.R. Bekpulatov. Techn. Phys., 59 (10), 1526 (2014)
  9. A.S. Risbaev, J.B. Khujaniyazov, I.R. Bekpulatov, A.M. Rakhimov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (5), 994 (2017
  10. A.S. Rysbaev, Z.B. Khuzhaniyazov, M.T. Normuradov, A.M. Rakhimov, I.R. Bekpulatov. Techn. Phys., 59 (11), 1705 (2014)
  11. S.B. Donaev, A.K. Tashatov, B.E. Umirzakov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 9 (2), 406 (2015)
  12. Ю.К. Ундалов. ФТП, 49 (7), 887 (2015)
  13. M. Hamasaki, T. Adachi, S. Wakayama, M. Kikuchi. J. Appl. Phys., 47 (7), 3987 (1978)
  14. О.Б. Гусев, А.Н. Поддубный, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 47 (2), 147 (2013)
  15. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62 (24), 16820 (2000)
  16. Y.S. Ergashov. Techn. Phys., 62 (5), 777 (2017)
  17. R.K. Ashurov, T.K. Turdaliev, I.K. Ashurov. Appl. Sol. Energy, 53, 334 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.