Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sibirev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы Ga(As,P), молекулярно-пучковая эпитаксия, самокаталитический рост, количественный расчет состава.
- В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
- S. Barth, F. Hernandez-Ramirez, J. D. Holmes, A. Romano-Rodriguez. Progr. Mater. Sci., 55 (6), 563 (2010)
- E. Ertekin, P.A. Greaney, D.C. Chrzan, T.D. Sands. J. Appl. Phys., 97 (11), 1 (2005)
- J.P. Boulanger, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 332 (1), 21 (2011)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (6), 41 (2004)
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4 (5), 89 (1964)
- P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen, A.F.I. Morral, M. Aagesen, J. Nyg rd, F. Glas. J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (31), 313001 (2013)
- G. Priante, G. Patriarche, F. Oehler, F. Glas, J. C. Harmand. Nano Lett., 15 (9), 6036 (2015)
- C. Chen, M. C. Plante, C. Fradin, R. R. LaPierre. J. Mater. Res., 21 (11), 2801 (2006)
- E. Dimakis, J. Lahnemann, U. Jahn, S. Breuer, M. Hilse, L. Geelhaar, H. Riechert. Cryst. Growth Des., 11 (9), 4001 (2011)
- V.G. Dubrovskii. J. Cryst. Growth, 498, 179 (2018)
- K.A. Dick, J. Bolinsson, B.M. Borg, J. Johansson. Nano Lett., 12, 3200 (2012)
- V. Zannier, F. Rossi, V. G. Dubrovskii, D. Ercolani, S. Battiato, L. Sorba. Nano Lett., 18 (11), 167 (2018)
- A.D. Bolshakov, V.V. Fedorov, N.V. Sibirev, M.V. Fetisova, E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, O.Y. Koval, E.V. Ubyivovk, A.M. Mozharov, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin. Phys. Status Solidi RRL, 13 (11), 1900350 (2019)
- O. Saket, C. Himwas, V. Piazza, F. Bayle, A. Cattoni, F. Oehler, G. Patriarche, L. Travers, S. Collin, F.H. Julien, J.-C. Harmand, M. Tchernycheva. Nanotechnology, 31 (14), 145708 (2020)
- W. Metaferia, A. R. Persson, K. Mergenthaler, F. Yang, W. Zhang, A. Yartsev, R. Wallenberg, M.E. Pistol, K. Deppert, L. Samuelson, M.H. Magnusson. Nano Lett., 16 (9), 5701 (2016)
- Y. Zhang, M. Aagesen, J.V. Holm, H.I. J rgensen, J. Wu, H. Liu. Nano Lett., 13 (8), 3897 (2013)
- J. Johansson, M. Ghasemi. RAPID Commun. Phys. Rev. Mater., 1, 40401 (2017)
- P. Periwal, N. V. Sibirev, G. Patriarche, B. Salem, F. Bassani, V.G. Dubrovskii, T. Baron. Nano Lett., 14 (9), 5140 (2014)
- I. Ansara, C. Chatillon, H.L. Lukas, T. Nishizawa, H. Ohtani, K. Ishida, M. Hillert, B. Sundman, B.B. Argent, A. Watson, T.G. Chart, T. Anderson. Calphad, 18 (2), 177 (1994)
- G.A. Antypas. J. Electrochem. Soc., 117 (5), 700 (1970)
- C. Pupp, J.J. Murray, R.F. Pottie. J. Chem. Thermodyn., 6 (2), 123 (1974)
- J.R. Arthur. J. Phys. Chem. Solids, 28 (11), 2257 (1967)
- S.L. Wright, H. Kroemer. J. Vac. Sci. Technol., 20 (2), 143 (1982)
- C. Chatillon, F. Hodaj, A. Pisch. J. Cryst. Growth, 311 (14), 3598 (2009)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
- В.П. Скрипов, А.В. Скрипов. УФН, 128 (2), 193 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
