Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51288.17

Пузанов А.С.

^1,2, Бибикова В.В.^1,2, Забавичев И.Ю.^1,2, Оболенская Е.С.¹, Потехин А.А.², Тарасова Е.А.

¹, Востоков Н.В.³, Козлов В.А.³, Оболенский С.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия Branch of Russian federal nuclear center all-Russian research institute of experimental physics «Sedakov Scientific Research Institute of Measurement Systems», Nizhny Novgorod, Russia

Branch of Russian federal nuclear center all-Russian research institute of experimental physics «Sedakov Scientific Research Institute of Measurement Systems», Nizhny Novgorod, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: puzanov@rf.unn.ru, zabavichev.rf@gmail.com, elizaveta.obolenskaya@gmail.com, potehinrf@gmail.com, tarasova@rf.unn.ru, vostokov@ipm.sci-nnov.ru, oibolensk@rf.unn.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен теоретический анализ деградации вольт-амперной характеристики и переходных ионизационных процессов, протекающих в низкобарьерном неохлаждаемом GaAs-диоде Мотта при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и имитирующих их импульсов лазерного излучения. Реакция диода на воздействие ионов мышьяка с энергией 200 МэВ, соответствующей линейной передаче энергии 26 МэВ · см²/мг, сопоставляется с откликом на воздействие фемтосекундных импульсов оптического излучения длительностью 10 фс с длинами волн 870 и 670 нм. Ключевые слова: диод Мотта, тяжелые заряженные частицы, фемтосекундный лазерный импульс.

А.А. Гриценко. REDS: Телекоммуникационные устройства и системы, 7 (1), 9 (2017)
В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26 (1), 57 (1997)
В.Р. Закамов, В.И. Шашкин. РЭ, 56 (8), 1009 (2011)
C.H.P. Lorenz, S. Hemour, Ke Wu. IEEE Trans. Microware Theory and Techniques, 64 (7), 2146 (2016)
В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика, 48 (6), 1 (2005)
V.I. Shashkin, Yu.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krilov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin. Int. J. Infrared Waves, 28, 945 (2007)
В.И. Шашкин, Ю.И. Белов, П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.Р. Закамов, И.А. Илларионов. Письма ЖТФ, 39 (12), 44 (2013)
П.В. Волков, Н.В. Востоков, А.В. Горюнов, Л.М. Кукин, В.В. Паршин, Е.А. Серов, В.И. Шашкин. Письма ЖТФ, 45 (5), 56 (2019)
S.A. Korolyov, A.P. Shilov, A.V. Goryunov, V.I. Shashkin. IEEE Sens. Lett., 4 (5), 3500404 (2020)
B. Kapilevich, V. Shashkin, B. Litvak, G. Yemini, A. Etinger, D. Hardon, Y. Pinhasi. IEEE Microware and Wireless Components Lett., 26 (8), 637 (2016)
А.И. Чумаков, А.А. Печенкин, А.Н. Егоров, О.Б. Маврицкий, С.В. Баранов, А.Л. Васильев, А.В. Яненко. Микроэлектроника, 37 (1), 45 (2008)
А.Н. Егоров, В.А. Телец, А.И. Чумаков, О.Б. Маврицкий, А.А. Печенкин, А.В. Яненко, Д.О. Кольцов. Электроника, 17 (5), 60 (2012)
А.С. Пузанов, В.В. Бибикова, И.Ю. Забавичев, Е.С. Оболенская, Е.А. Тарасова, Н.В. Востоков, С.В. Оболенский. Письма ЖТФ, 47 (6), 51 (2021)
S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, с. 447
Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 52 (11), 1295 (2018)
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 54 (8), 791 (2020)
И.Ю. Забавичев, К.А. Насеткин, Е.С. Оболенская, А.С. Пузанов, Е.А. Тарасова. Науч.-техн. вестн. Поволжья, 11 (12), 209 (2020)
Ф.Ф. Комаров. Успехи физ. наук, 187 (5), 465 (2017)
Электронный ресурс http://www.srim.org
А.В. Согоян, А.И. Чумаков. Микроэлектроника, 46 (4), 305 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель