Вышедшие номера
Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
РФФИ, 18-29-20053
РФФИ, 20-42-543015
РФФИ, 20-32-90154
РНФ, 18-72-10063
Тарасов А.С.1, Михайлов Н.Н.1,2, Дворецкий С.А.1,3, Менщиков Р.В.1, Ужаков И.Н.1, Кожухов А.С.1, Федосенко Е.В.1, Терещенко О.Е.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: tarasov1916@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

Получена атомарно-чистая и структурно-упорядоченная поверхность слоя CdTe подложки (013) GaAs/ZnTe/CdTe после хранения на воздухе с помощью обработки в изопропиловом спирте, насыщенном парами соляной кислоты, и дальнейшего термического отжига в сверхвысоком вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности CdTe приводит к удалению собственных оксидов и обогащению поверхности слоем элементного теллура. Во время прогрева в вакууме наблюдается две стадии изменения состояния поверхности (~125oС и ≤250oС). При T>250oС происходят десорбция элементного теллура и формирование Te-стабилизированной структуры (1x1) CdTe (013). Ключевые слова: поверхность, подложка GaAs, HgCdTe, PbSnTe, РФЭС, ДБЭО, одноволновая эллипсометрия, химическая подготовка.