"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe
Бобренко Ю.Н.1, Павелец С.Ю.1, Павелец А.М.1, Ярошенко Н.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

В качестве подложки для эпитаксиального выращивания ZnSe используются ориентированные поликристаллические слои CdSe. Для исключения механизма образования структурных дефектов, связанных с рассогласованием постоянных решеток активного эпитаксиального слоя и материала подложки, выращивался промежуточный варизонный слой CdxZn1-xSe. В такой структуре прорaстание точечных дефектов донорного типа из подложки в наращиваемые слои приводит к образованию низкоомного слоя ZnSe. На ZnSe наносился барьерообразующий слой p-Cu1.8S. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела поверхностно-барьерного преобразователя p-Cu1.8S-n-ZnSe предложен и реализован вариант дополнительного встраивания тонкого варизонного слоя в область обьемного заряда фотопреобразователя.
  1. Г.Г. Девятых, Б.В. Жук, А.А. Зленко, А.М. Прохоров, В.К. Хамылов, Г.П. Шипуло. Письма ЖТФ, 10 (2), 118 (1984)
  2. Б.В. Жук, И.А. Жуков, А.А. Зленко. ФТП, 19 (8), 1405 (1985)
  3. F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Electron Lett., 36 (4), 352 (2000)
  4. E. Monroy, F. Vigue, F. Calle, J.I. Izpura, E. Munoz, J.P. Faurie. Аppl. Phys. Lett., 77 (17), 2761 (2000)
  5. K. Ando, H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, T. Abe, H. Kasada. Phys. Status Solidi B, 229 (2), 1065 (2002)
  6. Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старх, Г.А. Филаретов. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом обьеме (М., Сов. радио, 1975)
  7. Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, В.М. Ткаченко. Письма ЖТФ, 20 (12), 9 (1994)
  8. С.Ю. Павелец, А.В. Комащенко, В.Д. Фурсенко, П.П. Горбик. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1999) вып. 34, с. 106
  9. C.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35 (5), 626 (2001)
  10. Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец, М.П. Киселюк, Н.В. Ярошенко. ФТП, 44 (8), 1114 (2010)
  11. Физика соединений А-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
  12. O.N. Tufle, E.L. Stelzer. J. Appl. Phys., 40, 4559 (1969)
  13. Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Выш. шк., 1989)
  14. Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец. ФТП, 43 (6), 830 (2009)
  15. В.М. Евдокимов. Радиотехника и электроника, 10 (7), 1314 (1965)
  16. D.L. Foucht. J. Vac. Sci. Technol., 14 (1), 57 (1977)
  17. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, М.Б. Каган, В.И. Корольков, Т.С. Табаров, Ф.М. Таджиев. Письма ЖТФ, 3 (6), 725 (1977)
  18. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 4 (6), 305 (1978)
  19. Ж.И. Алфёров. УФН, 172 (9), 1068 (2002)
  20. Г. Крёмер. УФН, 172 (9), 1087 (2002)
  21. В.А. Холоднов. ФТП, 47 (1), 68 (2013)
  22. А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 12 (1), 96 (1978)
  23. В.А. Бывалый, А.С. Волков, Ю.А. Гольдберг, А.Г. Дмитриев, Б.В. Царенков. ФТП, 13 (7), 1385, (1979)
  24. А.Р. Аннаева, А. Беркелиев, В.Н. Бессолов, Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 15 (6), 1122 (1981)
  25. С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. Укр. физ. журн., 18, 581 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.