"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами
Данилов Л.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Изучена роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата электронов в глубокую квантовую яму. На примере двух- и трехуровневой квантовых ям были рассмотрены основные механизмы захвата электронов --- при взаимодействии с оптическими фононами и кулоновского взаимодействия между собой, рассчитаны соответствующие вероятности захвата и времена жизни электронов. Также было учтено влияние оже-рекомбинации на распределение носителей заряда в квантовой яме. С учетом этого решена система скоростных уравнений для нестационарного режима и найдены временные зависимости концентраций электронов на основном энергетическом уровне в квантовой яме. Показаны вклады каждого из рассмотренных процессов рекомбинации.
  1. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 566 (2008)
  2. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 573 (2008)
  3. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  4. S.A. Cripps, T.J.C. Hosea, A. Krier, V. Smirnov, P.J. Batty, Q.D. Zhuang, H.H. Lin, Po-Wei Liu, G. Tsai. Appl. Phys. Lett., 90, 172 106 (2007)
  5. J. Wrobel, R. Ciupa, A. Rogalski. Proc. SPIE, 7660, 766 033 (2010)
  6. Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ФТП, 34, 464 (2000)
  7. В.Л. Зерова, Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря. ФТП, 38, 716 (2003)
  8. K. Kalna, M. Mosko. Phys. Rev., 54, 17 730 (1996)
  9. P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev., 58, 4771 (1998)
  10. K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, G.G. Zegrya, M.P. Mikhailova, Y.P. Yakovkev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Appl. Phys. Lett., 88, 132 102 (2006)
  11. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  12. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  13. Л.Е. Воробьёв, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Н. Тулупенко, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьёв, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, Ж.И. Алфёров. УФН, 169, 459 (1999)
  14. J. Smet, C.G. Fonstad, Q. Hu. J. Appl. Phys., 79 (12), 9305 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.