Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации

Шустов Д.Б.¹, Лебедев А.А.¹, Лебедев С.П.¹, Нельсон Д.К.¹, Ситникова А.А.¹, Заморянская М.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 января 2013 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Исследовались гетероструктуры n-3C-SiC/n-6H-SiC, выращенные методом сублимации в вакууме на коммерческих подложках 6H-SiC компании CREE. ПЭМ исследования показали, что на подложке вырос переходной слой переменной толщины, представляющий собой смесь 3C- и 6H-политипов. На прослойке был получен слой 3C-политипа. Исследования катодолюминесценции поверхности выращенной пленки в латеральной поверхности показали, что на поверхности и приповерхностной области (порядка 100 мкм) встречаются дефекты в виде вкрапления другой фазы (6H-политипа), дефектов упаковки и двойничковых границ (разделяющих домены кубической модификации, выращенной в различных ориентациях). Различные условия роста оказывают влияние на концентрацию различных типов дефектов.

A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., Vol. 21, R17 (2006)
V.M. Polyakov, F. Schwierz. J. Appl. Phys., 98, 023 709 (2005)
А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, И.П. Никитина, Н.С. Савкина, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 27 (24), 57 (2001)
А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (18), 89 (2002)
M.S. Chandrashekhan, C.I. Thomas, Jie Li, M.G. Spenser. Appl. Phys. Lett., 91, 033 503 (2007)
Jie Li, M.S. Chandrashekhan, J.J. Parks, D.C. Ralph, M.G. Spenser. Appl. Phys. Lett., 94, 162 115 (2009)
W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. B, 3, 4959 (1970)
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Eds. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22 (6), 2842 (1980)
А.Н. Андреев, М.М. Аникин, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, ФТП, 28 (5), 729 (1994)
D.V. Shustov, A.A. Lebedev, S.P. Lebedev, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya. Abstracts 11th Int. Conf. on Atomically Controlled Surface, Interfaces and Microstructures (St. Petersburg, 3--7 October 2011) p. 284
А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 36, 32 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель