Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Исследовались гетероструктуры n-3C-SiC/n-6H-SiC, выращенные методом сублимации в вакууме на коммерческих подложках 6H-SiC компании CREE. ПЭМ исследования показали, что на подложке вырос переходной слой переменной толщины, представляющий собой смесь 3C- и 6H-политипов. На прослойке был получен слой 3C-политипа. Исследования катодолюминесценции поверхности выращенной пленки в латеральной поверхности показали, что на поверхности и приповерхностной области (порядка 100 мкм) встречаются дефекты в виде вкрапления другой фазы (6H-политипа), дефектов упаковки и двойничковых границ (разделяющих домены кубической модификации, выращенной в различных ориентациях). Различные условия роста оказывают влияние на концентрацию различных типов дефектов.
- A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., Vol. 21, R17 (2006)
- V.M. Polyakov, F. Schwierz. J. Appl. Phys., 98, 023 709 (2005)
- А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, И.П. Никитина, Н.С. Савкина, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 27 (24), 57 (2001)
- А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (18), 89 (2002)
- M.S. Chandrashekhan, C.I. Thomas, Jie Li, M.G. Spenser. Appl. Phys. Lett., 91, 033 503 (2007)
- Jie Li, M.S. Chandrashekhan, J.J. Parks, D.C. Ralph, M.G. Spenser. Appl. Phys. Lett., 94, 162 115 (2009)
- W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. B, 3, 4959 (1970)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Eds. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
- M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22 (6), 2842 (1980)
- А.Н. Андреев, М.М. Аникин, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, ФТП, 28 (5), 729 (1994)
- D.V. Shustov, A.A. Lebedev, S.P. Lebedev, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya. Abstracts 11th Int. Conf. on Atomically Controlled Surface, Interfaces and Microstructures (St. Petersburg, 3--7 October 2011) p. 284
- А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 36, 32 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
