"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства пленок кремния, выращенных при разных давлениях в плазмообразующей системе
Митин Д.М.1,2, Сердобинцев А.А.1,2
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Изучено влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок кремния, синтезированных методом магнетронного распыления на постоянном токе. Пленки, полученные при более низких давлениях, отличаются меньшей шероховатостью и меньшим удельным сопротивлением. Качественно это можно объяснить большей длиной свободного пробега частиц в потоке осаждения при меньших давлениях.
  1. В.П. Афанасьев, Е.И. Теруков, А.А. Шерченков. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния, 2-е изд. (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2011) гл. 1, с. 7
  2. Guy Beaucarne. Advances in OptoElectronics, 2007, Article ID 36 970 (2007)
  3. U. Helmersson, M. Lattemann, J. Bohlmark, A.P. Ehiasarian, J.T. Gudmundsson. Thin Sol. Films, 513 (1-2), 1 (2006)
  4. А.Г. Веселов, А.С. Джумалиев. ЖТФ, 70 (4), 118 (2000)
  5. А.А. Сердобинцев, А.Г. Веселов, О.А. Кирясова. ФТП, 42 (4), 496 (2008)
  6. А.А. Сердобинцев, Е.И. Бурылин, А.Г. Веселов, О.А. Кирясова, А.С. Джумалиев. ЖТФ, 78 (3), 83 (2008)
  7. Е.И. Бурылин, А.А. Веселов, А.Г. Весeлов, А.С. Джумалиев, С.Н. Иванов, О.А. Кирясова. Письма ЖТФ, 26 (7), 31 (2000)
  8. Т.К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, В.В. Розанов, Л.В. Шаронова. ФТП, 35 (12), 1460 (2001)
  9. В.Е. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.