Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция наноструктурированного CdTe

Бабенцов В.¹, Сизов Ф.¹, Franc J.², Лученко А.¹, Свеженцова Е.¹, Цибрий З.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Institute of Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Prague CZ 121 16, Czech Republic

Поступила в редакцию: 11 декабря 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы низкоразмерные наностержни CdTe диаметром 10-30 нм и с высоким характеристическим соотношением размеров, достигающим 100. Наностержни были выращены методом физического транспорта через газовую фазу с использованием преципитатов Bi на подложках. Также были выращены тонкие пленки из плотноупакованных гексагональных наностержней CdTe с поперечными размерами ~(100-200) нм. Атомно-силовая микроскопия показала, что все наностержни в сечении имели шестиугольную форму. При помощи измерений фотолюминесценции мы подтвердили наличие структуры вюрцита CdTe, проанализировали его структурное качество, электрон-фононные связи и дефекты. На основании расчетов из первых принципов проанализирована природа дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в слоях и объемных кристаллах CdTe.

N.C. Mc Donalda, J.M. Pearce. Energy Policy, 38, 7041 (2010)
I. Visoly-Fisher, S. Cohen, A. Ruzin, D. Cahen. Adv. Mater., 16, 879 (2004)
Y. Yan, M.M. Al-jassim, K.M. Jones, S.H. Wei, S.B. Zhang. Appl. Phys. Lett., 77, 1461 (2000)
S. Neretina, P. Mascher, R.A. Hughes, N. Braidy, W.H. Gong, J. F. Britten, J.S. Preston, N.V. Sochinskii, P. Dippo. Appl. Phys. Lett., 89, 133 101 (2006)
S. Neretina, R.A. Hughes, J.F. Britten, N.V. Sochinskii, J.S. Preston, P. Mascher. Nanotechnology, 18, 275 301 (2007)
Z. Tang, N.A. Kotov, M. Geirsig. Science, 297, 237 (2002)
M. Law, L.E. Greene, J.C. Johnson, R. Saykally, P. Yang. Nature Mater., 4, 455 (2005)
F. Patolsky, C.M. Lieber. Materials Today, 8, 20 (2005)
Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C.M. Lieber. Materials Today, 9, 18 (2006)
J.C. Johnson, H.-J. Choi, K.P. Knutsen, R.D. Schaller, P. Yang, R.J. Saykally. Nature Mater., 1, 106 (2002)
S.-H. Wei, S.B. Zhang, A. Zunger. J. Appl. Phys., 87, 1304 (2000)
C.-Y. Yeh, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 50, 2715 (1994)
A.D. Yoffe. Adv. Phys., 50, 1 (2001)
Y. Kang, N.-G. Park, D. Kim. Appl. Phys. Lett., 86, 113 101 (2005)
B.R. Pamplin. Crystal Growth, 1st edn (Pergamon Press, N. Y., 1975)
E. Saucedo, C.M. Ruiz, O. Marti nez, L. Fornaro, N.V. Sochinskii, L.F. Sanz, E. Dieguez. J. Cryst. Growth, 275, 471 (2005)
E. Saucedo, C.M. Ruiz, V. Bermudez, E. Dieguez, E. Gombia, A. Zappettini, A. Baraldi, N.V. Sochinskii. J. Appl. Phys., 100, 104 901 (2006)
W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B, 51, 10 619 (1995)
Ch. Onodera, M. Yoshida, T. Taguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 81 201 (2010)
Mao-Hua Du. Phys. Rev. B, 78, 172 105 (2008)
K.K. Rebane. Impurity Spectra of Solids: Elementary Theory of Vibrational Structure (Plenum Press, N. Y., 1970)
B. Henderson, G.F. Imbusch. Optical Spectroscopy of Inorganic Solids (Clarendon Press, Oxford, 1989)
V. Babentsov, J. Franc, R.-B. James. Appl. Phys. Lett., 94, 052 102 (2009)
J. Krustok, H. Collan, K. Hjelt, J. Madasson, V. Valdna. J. Luminesc., 72-74, 103 (1997)
V. Babentsov, T. Nann, J. Riegler, J. Schneider, M. Fiederle. J. Cryst. Growth, 280, 502 (2005)
V. Babentsov, F. Sizov. Opto-Electronics Rev., 16, 208 (2008)
V. Babentsov, J. Riegler, J. Schneider, O. Ehlert, T. Nann, M. Fiederle. J. Cryst. Growth, 280, 502 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель