"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства тонких пленок Sb2S3 и Sb23, полученных методом импульсной лазерной абляции
Вирт И.С.1,2, Рудый И.А.3, Курило И.В.3, Лопатинский И.Е.3, Линник Л.Ф.4, Тетёркин В.В.4, Потера П.2, Лука Г.5
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Жешувский университет, Жешув, Республика Польша
3Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
4Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва Национальной академии наук Украины, Kиeв, Украина
5Институт физики Польской академии наук, Варшава, Республика Польша
Поступила в редакцию: 1 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2013 г.

Исследованы свойства тонких пленок Sb2S3 и Sb23 переменной толщины, осажденных на подложки Al2O3, Si и KCl при помощи метода импульсной лазерной абляции. Образцы получены при температуре подложек 180oC в вакууме 10-5 мм рт. ст. Толщина пленок составляла 40-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследована методами рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок исследованы в температурном интервале 253-310 K. Показано, что пленки характеризуются полупроводниковыми свойствами. Структурные особенности пленок определяют их оптические параметры.
  • S. Messina, M.T.S. Nair, P.K. Nair. Solid Films, 517, 2503 (2009)
  • H. Maghraoui-Meherzi, T. Ben Nasr, N. Kamoun, M. Dachraoui. Physica B, 405, 3101 (2010)
  • H. Maghraoui-Meherzi, T. Ben Nasr, N. Kamoun, M. Dachraoui. Comptes Rendus Chimie, 14, 471 (2011)
  • Q. Han, J. Chen, J. Lu, X. Yang, L. Lu, X. Wang. Mater. Lett., 62, 2050 (2008)
  • P. Arun A.G. Vedeshwara. J. Appl. Phys., 79, 4029 (1996)
  • S. Shaji, A. Arato, J.J. O'Brien, J. Liu, G.A. Castillo, M.I.M. Palma, T.K.D. Roy, B. Krishnan. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 075 404 (2010)
  • F. Perales, F. Agullo-Rueda, J. Lamela, C. de las Heras. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 045 403 (2008)
  • F. Perales, G. Lifante, F. Agullo-Rueda, C. de las Heras. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 2440 (2007)
  • E.A. El-Sayad, A.M. Moustafa, S.Y. Marzouk. Physica B., 404, 1119 (2009)
  • T. Ben Nasr, H. Maghraoui-Meherzi, H. Ben Abdallah, R. Bennaceur. Physica B., 406, 287 (2011)
  • M.-Z. Xue, Z.-W. Fu. J. Alloys Compounds, 458, 351 (2008)
  • И.С. Вирт, Т.П. Шкумбатюк, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.Е. Лопатинский, Л.Ф. Линник, В.В. Тетёркин, А.Г. Федоров ФТП, 54, 564 (2010)
  • Joint Committee on Powder Diffraction Standards (JCPDS) diffraction data card, published by American Society for Testing and Materials (ASTM)
  • B.D. Cullity. Elements of X-ray Diffraction, 2nd ed. (Addison-Wesley, Reading, MA, 1978)
  • З.Г. Пинскер. Дифракция электронов (М., АН СССР, 1949)
  • А.Г. Григорьянц, В.В. Макаров, А.И. Мисюров, В.М. Башков, А.Е. Шупенев, Ю.М. Миронов. Наука и образование, Эл. N ФС 77-30569, 1 (2011)
  • K. Boubaker. Europ. Phys. J. Plus, 126, 1 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.