"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций
Галиев Г.Б.1, Пушкарев С.С.1,2, Васильевский И.С.2, Климов Е.А.1, Имамов Р.М.3
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ", Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера InxAl1-xAs за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.
  • D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
  • D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. IEEE International Electron Devices Meeting(Washington DC, December 5--7, 2011) p. 13.6.1
  • M.-S. Son, B.-H. Lee, M.-R. Kim, S.-D. Kim, J.-K. Rhee. J. Korean Phys. Soc., 44(2), 408 (2004)
  • M. Isler. Sol. St. Electron, 46, 585 (2002)
  • G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D.J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
  • O. Yastrubchak, T. Wosinski, T. Figielski, E. Lusakowska, B. Pecz, A.L. Toth. Physica E, 17, 561 (2003)
  • J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 62 (7), 693 (1993)
  • F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
  • Y. Cordier, S. Bollaert, M. Zaknoune et al. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 1164 (1999)
  • S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune et al. Sol. St. Electron., 44, 1021 (2000)
  • J.H. Kim, H.-S. Yoon, J.-H. Lee et al. Sol. St. Electron, 46, 69 (2002)
  • W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi et al. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
  • K.S. Joo, S.H. Chun, J.Y. Lim et al. Physica E, 40, 2874 (2008)
  • H. Wang, T. Fan, J. Wu, Y. Zeng, J. Dong, M. Kong. J. Cryst. Growth, 186, 38 (1998)
  • Y.N. Picard, M.E. Twigg, J.D. Caldwell, C.R. Eddy jr., M.A. Mastro, R.T. Holm. Scripta Mater., 61, 773 (2009)
  • M.E. Twigg, Y.N. Picard, J.D. Caldwell, C.R. Eddy jr., M.A. Mastro, R.T. Holm, P.G. Neudeck, A.J. Trunek, J.A. Powell. J. Electron. Mater., 39, 743 (2010)
  • Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-M. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. Di Persio, D. Vignaud, J.-L. Cordon, J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003). 18Z.M. Wang, L. Daweritz, P. Schutzendube, K.H. Ploog. J. Vac. Sci. Technol. D, 18(4), 2204 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.